半導(dǎo)體的焦點(diǎn)通常集中在工藝節(jié)點(diǎn)本身，而封裝則成為現(xiàn)代半導(dǎo)體中一個往往受到忽視的推動因素。終，硅芯片僅僅是需要電源和數(shù)據(jù)互連的更龐大系統(tǒng)的一部分。從這個角度來看，封裝提供了處理器和主板之間的物理接口，主板則充當(dāng)芯片電信號和電源的著陸區(qū)。封裝使更小的封裝成為可能，從而能夠容納更大的電池，通過使用硅中介層集成高帶寬內(nèi)存 (HBM)，實現(xiàn)了類似的電路板尺寸縮減。封裝測試含義：所謂封裝測試其實就是封裝后測試,把已制造完成的半導(dǎo)體元件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣功能的確認(rèn)，以保證半導(dǎo)體元件符合系統(tǒng)的需求的過程稱為封裝后測試。隨著行業(yè)傾向于使用小芯片構(gòu)建模塊的異構(gòu)設(shè)計范例，平臺級互連變得非常重要。

CSP封裝具有以下特點(diǎn)：解決了IC裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測試和老化篩選的問題；封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10；延遲時間縮到極短；CSP封裝的內(nèi)存顆粒不僅可以通過PCB板散熱，還可以從背面散熱，且散熱效率良好。CSP(ChipScalePackage)：芯片級封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲容量提升三倍，是由日本公司提出來的。20世紀(jì)80年代初發(fā)源于美國，為解決單一芯片封裝集成度低和功能不夠完善的問題，把多個高集成度、、高可靠性的芯片，在高密度多層互聯(lián)基板上組成多種多樣的電子模塊系統(tǒng)，從而出現(xiàn)多芯片模塊系統(tǒng)。封裝過程為：來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后，被切割為小的晶片，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應(yīng)的基板（引線框架）架的小島上，再利用超細(xì)的金屬（金、錫、銅、鋁）導(dǎo)線或者導(dǎo)電性樹脂將晶片的接合焊盤連接到基板的相應(yīng)引腳,并構(gòu)成所要求的電路。

WLCSP此封裝不同于傳統(tǒng)的先切割晶圓，再組裝測試的做法，而是先在整片晶圓上進(jìn)行封裝和測試，然后再切割。這些熱機(jī)械力，振動、機(jī)械沖擊等，會對焊點(diǎn)造成應(yīng)變，并可能導(dǎo)致焊點(diǎn)和互連表面的裂紋。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程如下：由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。半導(dǎo)體封裝測試是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程。Single-ended此封裝形式的特點(diǎn)是引腳全部在一邊，而且引腳的數(shù)量通常比較少。它又可分為：導(dǎo)熱型，像常用的功率三極管，只有三個引腳排成一排，其上面有一個大的散熱片。

表面貼片封裝根據(jù)引腳所處的位置可分為：Single-ended(引腳在一面)、Dual(引腳在兩邊)、Quad(引腳在四邊)、Bottom(引腳在下面)、BGA(引腳排成矩陣結(jié)構(gòu))及其他。封裝測試的原因：隨著芯片的復(fù)雜度原來越高，芯片內(nèi)部的模塊越來越多，制造工藝也是越來越先進(jìn)，對應(yīng)的失效模式越來越多，而如何能完整有效地測試整個芯片，在設(shè)計過程中需要被考慮的比重越來越多。半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測試、芯片封裝和封裝后測試組成。也可稱為終段測試Final Test.在此之前，由于封裝成本較高整片晶元還必須經(jīng)過針測Probe Test。半導(dǎo)體封裝經(jīng)歷了三次重大革新：次是在上世紀(jì)80年代從引腳插入式封裝到表面貼片封裝，它極大地提高了印刷電路板上的組裝密度；第二次是在上世紀(jì)90年代球型矩陣封裝的出現(xiàn)，滿足了市場對高引腳的需求，改善了半導(dǎo)體器件的性能；芯片級封裝、系統(tǒng)封裝等是第三次革新的產(chǎn)物，其目的就是將封裝面積減到。