晶體諧振器的電性能參數(shù)

KOAN 諧振器之負(fù)載電容 CL：也稱晶體的調(diào)整電容，外圍電路需與之匹配或反之。負(fù)載電容可大可小。

負(fù)載電容值大：遠(yuǎn)端相噪好，過大，難調(diào)整到標(biāo)稱頻率，還容易導(dǎo)致回路阻抗增大，不易起振；

負(fù)載電容值小，容易調(diào)整頻率，近端相噪好，易起振，功耗低。電路匹配電容加上電路雜散電容，愈接近晶體負(fù)載容量（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)

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KOAN晶體如需減小驅(qū)動(dòng)功率，可以采取以下措施: 增加阻尼電阻或減小外部負(fù)載電容。增加阻尼電阻反相放大器的輸出幅度將會(huì)減小，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率也將減小。振蕩幅度也隨之減小。但應(yīng)保證振蕩裕量超過 Re 的 5 倍；減小外部負(fù)載電容，振蕩電路阻抗將會(huì)增加，實(shí)際驅(qū)動(dòng)功率將會(huì)減小。而負(fù)載電容減小，實(shí)際振蕩頻率將會(huì)增加，如果震蕩頻率超出使用范圍，可考慮低負(fù)載晶體配合調(diào)整。

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KOAN 晶體諧振器電容匹配知識(shí)

KOAN 晶振的電路匹配電容時(shí)，不要忽略電路雜散電容，諧振器兩個(gè)引腳的外圍電容愈接近晶體負(fù)載電容（CL），目標(biāo)頻率愈精準(zhǔn)。

措施 A：調(diào)整外部負(fù)載電容增加外部負(fù)載電容以減小實(shí)際的振蕩頻率，反之增加。如果增加外部負(fù)載電容，振蕩裕量和振蕩幅度會(huì)減小。

措施 B：更換合適的負(fù)載容量晶體?？傊惹蠓€(wěn)定，再選擇適中的負(fù)載電容值；要考慮頻率變化需求量，再定中心負(fù)載電容值。

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晶體諧振器

關(guān)于晶體諧振器小型化發(fā)展的激勵(lì)功率控制問題：晶體越小，震蕩所需能量越少，如果驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度過大會(huì)引起副震蕩和熱過沖，晶體頻率變化率與驅(qū)動(dòng)電流平方成比例，產(chǎn)生幅頻效應(yīng)，振幅過大，會(huì)破壞晶片內(nèi)部機(jī)理，使動(dòng)態(tài)電感下降，振動(dòng)質(zhì)量下降，嚴(yán)重時(shí)失效。