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發(fā)布時(shí)間:2021-09-14 14:12  
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對(duì)于大面積鍍膜,常采用旋轉(zhuǎn)基片或多蒸發(fā)源的方式以保證膜層厚度的均勻性。從蒸發(fā)源到基片的距離應(yīng)小于蒸氣分子在殘余氣體中的平均自由程,以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學(xué)作用。蒸氣分子平均動(dòng)能約為0.1~0.2電子伏。
蒸發(fā)源有三種類(lèi)型。①電阻加熱源:用難熔金屬如鎢、鉭制成舟箔或絲狀,通以電流,加熱在它上方的或置于坩堝中的蒸發(fā)物質(zhì)電阻加熱源主要用于蒸發(fā)Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高頻感應(yīng)加熱源:用高頻感應(yīng)電流加熱坩堝和蒸發(fā)物質(zhì)。③電子束加熱源:適用于蒸發(fā)溫度較高的材料,即用電子束轟擊材料使其蒸發(fā)。濺射化合物膜可用反應(yīng)濺射法,即將反應(yīng)氣體(O、N、HS、CH等)加入Ar氣中,反應(yīng)氣體及其離子與靶原子或?yàn)R射原子發(fā)生反應(yīng)生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉積在基片上。
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更具體而言,所述外觀(guān)鋁件3外圓上均勻設(shè)有若干凹槽。通過(guò)凹槽便于取下套在外觀(guān)鋁件3上的鐵制指環(huán)4,且其整體外形看上去更加美觀(guān)。
[0022]以上為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施方式,本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還能對(duì)上述實(shí)施方式進(jìn)行變更和修改。因此,本實(shí)用新型并不局限于上述的具體實(shí)施方式,凡是本領(lǐng)域技術(shù)人員在本實(shí)用新型的基礎(chǔ)上所作的任何顯而易見(jiàn)的改進(jìn)、替換或變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。關(guān)緊出口凡而后啟動(dòng)電源開(kāi)關(guān)馬達(dá)開(kāi)始運(yùn)轉(zhuǎn),使氣體及液體經(jīng)由排入加藥槽。
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