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發(fā)布時(shí)間:2021-03-21 15:54  
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美國(guó)Futurrex的光刻膠
北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國(guó)Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY,此款負(fù)膠的設(shè)計(jì)適用于比較寬的波長(zhǎng)范圍和i線(366納米)曝光工具。當(dāng)顯影后顯示出負(fù)的側(cè)壁角度,是lift-off工藝中比較簡(jiǎn)易的光刻膠。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢(shì): 1. 比較高的光刻速度,可以定制光刻速度來(lái)曝光產(chǎn)量 2. 比較高的分辨率和快的顯影時(shí)間 3. 根據(jù)曝光能量可以比較容易的調(diào)整側(cè)壁角度 4. 耐溫可以達(dá)到100攝氏度 5. 用RR5去膠液可以很容易的去膠 NR9-3000PY的制作和工藝是根據(jù)職業(yè)和環(huán)境的安全而設(shè)計(jì)。主要的溶劑是,NR9-3000PY的顯影在水溶液里完成。曝光時(shí)間,由光源強(qiáng)度,光刻膠種類,厚度等決定,另外,為降低駐波效應(yīng)影響,可在曝光后需進(jìn)行烘焙,稱為光后烘焙(PEB)。屬固含量(%):31-35 主要溶劑: 外觀: 淺液體涂敷能:均勻的無(wú)條紋涂敷 100攝氏度熱板烘烤300秒后膜厚涂敷自旋速度 40秒自旋。

光刻膠
北京賽米萊德貿(mào)易有限公司供應(yīng)美國(guó)Futurrex新型lift-off光刻膠NR9-3000PY,此款負(fù)膠的設(shè)計(jì)適用于比較寬的波長(zhǎng)范圍和i線(366納米)曝光工具。當(dāng)顯影后NR9-3000PY顯示出負(fù)的側(cè)壁角度,是lift-off工藝中比較簡(jiǎn)易的光刻膠。2,涂膠,在硅片覆蓋,旋轉(zhuǎn),離心力,在硅片表面通過旋轉(zhuǎn)的光刻膠,工藝參數(shù)3000-6000rpm膠膜厚0。和其他膠相比NR9i-3000PY有下面的優(yōu)勢(shì):
光刻的工序
下面我們來(lái)詳細(xì)介紹一下光刻的工序:
一、清洗硅片(Wafer Clean)
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少其它缺陷,提高光刻膠黏附性
基本步驟:化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
自1970年美國(guó)RCA實(shí)驗(yàn)室提出的浸泡式RCA化學(xué)清洗工藝得到了廣泛應(yīng)用,1978年RCA實(shí)驗(yàn)室又推出兆聲清洗工藝,近幾年來(lái)以RCA清洗理論為基礎(chǔ)的各種清洗技術(shù)不斷被開發(fā)出來(lái),例如:美國(guó)FSI公司推出離心噴淋式化學(xué)清洗技術(shù)、美國(guó)原CFM公司推出的Full-Flow systems封閉式溢流型清洗技術(shù)、美國(guó)VERTEQ公司推出的介于浸泡與封閉式之間的化學(xué)清洗技術(shù)(例Goldfinger Mach2清洗系統(tǒng))、美國(guó)SSEC公司的雙面檫洗技術(shù)(例M3304 DSS清洗系統(tǒng))、 日本提出無(wú)藥液的電介離子水清洗技術(shù)(用電介超純離子水清洗)使拋光片表面潔凈技術(shù)達(dá)到了新的水平、以HF / O3為基礎(chǔ)的硅片化學(xué)清洗技術(shù)。相對(duì)于其他的光刻膠,PR1-2000A1有如下的一些額外的優(yōu)勢(shì):PEB,不需要后烘的步驟。
光刻膠由光引發(fā)劑、樹脂、溶劑等基礎(chǔ)組分組成,又被稱為光致抗蝕劑,這是一種對(duì)光非常敏感的化合物。此外,光刻膠中還會(huì)添加光增感劑、光致產(chǎn)酸劑等成分來(lái)達(dá)到提高光引發(fā)效率、優(yōu)化線路圖形精密度的目的。國(guó)外研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè),PCB市場(chǎng)年復(fù)合增長(zhǎng)率可達(dá)3%,到2020年,PCB全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到610億美元。在受到紫外光曝光后,它在顯影液中的溶解度會(huì)發(fā)生變化。
分類
根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類。
正膠
曝光前對(duì)顯影液不可溶,而曝光后變成了可溶的,能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。
優(yōu)點(diǎn):分辨率高、對(duì)比度好。
缺點(diǎn):粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。
靈敏度:曝光區(qū)域光刻膠完全溶解時(shí)所需的能量
負(fù)膠egative





Photo Resist)
與正膠反之。
優(yōu)點(diǎn): 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。
缺點(diǎn): 顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹,導(dǎo)致其分辨率。
靈敏度:保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。