原材料中含有各種各樣的雜質，對壓電陶瓷元件的不同型號，配方的作用和影響也各不相同。壓力效應的機理壓電效應首先是在水晶晶體上發(fā)現的，現在我們以水晶晶體為模型，說明產生壓電效應的物理機理。所以應區(qū)別對待，對具體情況需具體分析。對產品性能和工藝過程敏感的原料應選擇較高的純度；與原料的化學性質相近，能形成置換式固溶體的雜質的含量可以略高；對那些能使晶格發(fā)生嚴重畸變的雜質，或者能在晶體中產生自由電子和空穴的“施主雜質”和“受主雜質”以及變價過渡元素{SiO2}的含量必須嚴格控制，有時這類雜質即使只有0.1wt%就會使物理性能嚴重惡化而完全失去使用階值。如K ，Na ,等鹵族元素將使鐵電，壓電陶瓷材料的絕緣電阻顯著降低，使極化時容易擊穿，損耗增大，介電常數和機電耦合系數Kp下降，其總含量控制在0.01%以下。一般來說，在制作PZT壓電陶瓷元件中，二氧化鈦，二氧化鋯可采用工業(yè)級材料，它們的純度均能達到98%以上。實際生產中原材料的主成分含量都是采用化學分析方法測定，雜質含量則常在已有經驗基礎上采用半定量的光譜分析，必要時也可進行x射線衍射分析和電子探針微區(qū)分析。

對不同原材料所含不同雜質的允許量是不同的。這主要根據下述三個因素來決定：

1 雜質的類型 可分為有害與有利兩種。總的來說，壓電陶瓷材料所用的原材料可以分為化工原料和礦物原料二大類。一類是有害雜質，特別是異價離子，如硼B(yǎng)，碳C，磷P，硫S，AL等。由于它們對制品的絕緣，介電性能產生極大影響，有時既使配料中含量在0.1%以下，影響也很大。因此，要求象這類有害雜質的量越少越好。另一類是有利雜質，對與鉛離子Pb2 同屬二價或與鈦離子Ti4 ，鋯離子Zr4 同屬四價，而離子半徑相近，能形成置換固溶體的雜質，如鈣Ca2 ,鍶Sr2 ,鋇Ba2 ,鎂Mg2 ,錫Sn2 ,鉿Hf4 等離子。

壓電陶瓷微位移器是近年來發(fā)展起來的新型微位移器件,它具有體積小、重量輕、精度和分辨率高、頻響高、出力大等優(yōu)點,在光學、電子、航天航空、機械制造、生物工程、機器人等技術領域得到了廣泛應用,而且日益受到重視。一類是有害雜質，特別是異價離子，如硼B(yǎng)，碳C，磷P，硫S，AL等。壓電陶瓷的特性和性能指標直接影響機械結構和控制系統(tǒng)的設計，壓電陶瓷微位移器是近年來發(fā)展起來的新型微位移器件,它具有體積小、重量輕、精度和分辨率高、頻響高、出力大等優(yōu)點,在光學、電子、航天航空、機械制造、生物工程、機器人等技術領域得到了廣泛應用,而且日益受到重視。壓電陶瓷的特性和性能指標直接影響機械結構和控制系統(tǒng)的設計，因而急需對其性能有明確的闡述

電介質在電場作用下電極化的強弱可用電極化強度來表示,電極化強度p是單位體積內電偶極矩的矢量和,即p=∑q1$V.它直接反映了電介質在電場中電學與力學的聯系電介質在電場作用下電極化的強弱可用電極化強度來表示,電極化強度p是單位體積內電偶極矩的矢量和,即p=∑q1$V.它直接反映了電介質在電場中電學與力學的聯系