潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間"凈化工程在設(shè)計(jì)時，無論是新建還是重新改造的凈化車間，都一定依照國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范進(jìn)行。在實(shí)際施工中，凈化項(xiàng)目通常分為專業(yè)，分工和分時。 這種安排有利于各種專業(yè)和工作類型的管理。 但是，易于進(jìn)行多塵和無塵的交叉操作，應(yīng)盡可能避免這種結(jié)構(gòu)布置。 如果不可避免，應(yīng)該防止灰塵和有效清潔。

具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細(xì)，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。相通潔凈室之間的門要開向潔凈度級別高的房間"1級：主要應(yīng)用于電子工業(yè)，這是目前對凈化工程要求高的環(huán)境，集成電路要求的精度要達(dá)到亞微米。隨著微電子工業(yè)技術(shù)領(lǐng)域的突飛猛進(jìn)，對潔凈室的要求越來越高。及時生產(chǎn)間內(nèi)的例子直徑僅有1微米，也會使產(chǎn)品壽命受到影響。

10級：主要用于帶寬小于2微米的半導(dǎo)體工業(yè)。其空氣凈化要求僅次于1級，并且我國半導(dǎo)體技術(shù)也在發(fā)展之中，在未來對潔凈度的要求更加高。一般潔凈室高度控制在2.60米，對個別較高的設(shè)備可在局部加高，而不宜提高潔凈區(qū)的高度。凈化工程在設(shè)計(jì)時，無論是新建還是重新改造的凈化車間，都一定依照國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范進(jìn)行。

濕度過高產(chǎn)生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結(jié)露，如果發(fā)生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學(xué)吸附在表面耐難以清除。相對濕度越高,粘附的難去掉，但當(dāng)相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導(dǎo)體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)溫度范圍為35—45%。凈化工程在設(shè)計(jì)時，無論是新建還是重新改造的凈化車間，都一定依照國家相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)、規(guī)范進(jìn)行。