半導體真空腔體的應用

中國半導體真空腔體市場近幾年快速發(fā)展,越來越多的公司也表達了進入芯片領域的興趣.以存儲芯片為例,以前中國國內存儲芯片完全靠進口,今年福建晉華集成電路的內存生產線有望投產,另外長江存儲科技公司也在建設內存和閃存芯片生產線.格力、康佳等傳統(tǒng)家電企業(yè)也表示,將進入芯片領域.

據(jù)國際半導體設備與材料協(xié)會報告顯示,中國目前正在天津、西安、北京、上海等16個地區(qū)打造25個FAB建設項目,福建晉華集成電路、長江存儲科技公司等企業(yè)技術水平雖不及韓國,但均已投入芯片量產.報告預測,今年中國半導體設備市場規(guī)模有望達118億美元,實現(xiàn)同比43.9%的增長,并且明年市場規(guī)模有望擴大至173億美元,增長46.6%,成為大市場.而同一時期內韓國的半導體設備市場規(guī)模從179.6億美元減少至163億美元,減幅為9.2%.中國超越韓國成為全球很大半導體設備市場.

真空腔體

真空腔體是內部為真空狀態(tài)的容器,很多先進的技術工藝均需要在真空或惰性氣體保護條件下完成,真空腔體是這些工藝過程中重要的基礎設備.

根據(jù)真空度國標真空被分為低真空（100000-100Pa）,中真空（100-0.1Pa）,高真空（0.1-10-5Pa）,超高真空（10-5-10Pa）。低真空主要應用于隔熱及絕緣、金屬熔煉脫氣、無氧化加熱、真空冷凍及干燥和低壓風洞等;高真空主要應用于真空冶金、真空鍍膜設備等領域;超高真空則偏向物理實驗方向。真空的屬性確實是需要用空間來描述,但只是種數(shù)學表示,是為了方便研究才引入的參量,并不是說真空的性質取決于空間。

影響真空絕緣水平的主要因素

空隙間隔

真空的擊穿電壓與空隙間隔有著比較清晰的關系。試驗標明，當空隙間隔較小時，擊穿電壓跟著空隙間隔的添加而線性添加，但跟著空隙間隔的進一步添加，擊穿電壓的添加減緩，即真空空隙發(fā)作擊穿的電場強度跟著空隙間隔的添加而減小。當空隙到達一定的長度后，單靠添加空隙間隔進步耐壓水平已經(jīng)好不容易，這時選用多斷口反而比單斷口有利。低真空主要應用于隔熱及絕緣、金屬熔煉脫氣、無氧化加熱、真空冷凍及干燥和低壓風洞等。

一般以為短空隙下的穿主要是場致發(fā)射引起的，而長空隙下的的穿則主要是微粒效應所致。

半導體真空腔體制造技術 

真空腔體在薄膜涂層、微電子、光學器件和材料制造中，是一種能適應高真空環(huán)境的特殊容器。真空腔體通常包括一系列部品——如鐘形罩、基板、傳動軸以及輔助井——這些構成一個完整的真空腔體。

復雜的真空腔體通常需要定制，即針對應用終端進行專門的設計和制作。某些常見的真空腔體已經(jīng)過預先設計，如手套箱、焊接室、脫氣箱、表面分析真空腔等。例如脫氣箱和手套箱一般采用低真空環(huán)境，可用于焊接，或用于塑料制品、復合材料層壓板、封裝組件等的脫氣。真空腔體真空腔體真空是指低于大氣壓力的氣體的給定空間,真空是相對于大氣壓來說的,并非空間沒有物質存在。

真空設備包含很多組件，如真空腔體，真空密封傳導件，視口設置，真空傳感器，真空顯示表，沉積系統(tǒng)，蒸發(fā)源和蒸發(fā)材料，濺鍍靶材，等離子刻蝕設備，離子注入設備，真空爐，專用真空泵，法蘭，閥門和管件等。真空設備常用于脫氣，焊接，制備薄膜涂層，生產半導體/晶圓、光學器件以及特殊材料等。因此采用PID來進行溫度控制調節(jié),控溫熱偶設置在腔體內部,這樣可以更好地控制真空腔體內的溫度。