脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。如果您對脈沖激光沉積感興趣，歡迎點擊左右兩側的在線客服，或撥打咨詢電話。

脈沖激光沉積系統(tǒng)特點及優(yōu)勢

可根據客戶需求定制產品，靈活性高，并提供專業(yè)的技術支持；靶臺可以安裝6個靶位，靶材更換靈活；樣品臺樣品尺寸從10x10mm樣品到2英寸樣品均適用；進樣室可以存儲多個靶和樣品；交易過程無需繁瑣的進、出關手續(xù), 交貨期短，性價比高；

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脈沖激光沉積原理

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脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產生的局域熱量將靶材物質轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

PLD 主要選件

離子輔助沉積 (IBAD)系統(tǒng)介紹

離子輔助沉積已經成為在無規(guī)取向的基片或無定形基片上沉積雙軸結構薄膜的一種重要技術。Neocera 開發(fā)了離子輔助的PLD 系統(tǒng)，該系統(tǒng)將PLD 在沉積復雜材料方面的優(yōu)勢與IBAD 能力結合在一起。

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