在半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用：碳化硅一維納米材料由于自身的微觀形貌和晶體結(jié)構(gòu)使其具備更多獨(dú)特的優(yōu)異性能和更加廣泛的應(yīng)用前景，被普遍認(rèn)為有望成為第三代寬帶隙半導(dǎo)體材料的重要組成單元。第三代半導(dǎo)體材料即寬禁帶半導(dǎo)體材料，又稱高溫半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。

這類材料具有寬的禁帶寬度、高的熱導(dǎo)率、高的擊穿電場(chǎng)、高的抗輻射能力、高的電子飽和速率等特點(diǎn)，適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制作。第三代半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性，未來(lái)應(yīng)用前景十分廣闊。碳化硅可用于單晶硅、多晶硅、鉀、石英晶體等、太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、壓電晶體產(chǎn)業(yè)工程性加工材料。

工業(yè)碳化硅因所含雜質(zhì)的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍(lán)乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結(jié)構(gòu)分為六方或菱面體的?α-SiC和立方體的β-SiC。α-SiC由于其晶體結(jié)構(gòu)中碳和硅原子的堆垛序列不同而構(gòu)成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時(shí)轉(zhuǎn)變?yōu)棣?SiC。

碳化硅的工業(yè)制法是用石英砂和石油焦在電阻爐內(nèi)煉制。煉得的碳化硅塊，經(jīng)破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產(chǎn)品。碳化硅有黑碳化硅和綠碳化硅兩個(gè)常用的基本品種，其韌性高于綠碳化硅，大多用于加工抗張強(qiáng)度低的材料，如玻璃、陶瓷、石材、耐火材料、鑄鐵和有色金屬。

碳化硅含硅約70％，含碳30％，并有少量游離碳和硅。高純碳化硅一般含量在96％以上，做磨具磨料用，有黑色，綠色等顏分，普通碳化硅在80％以下，多顯綠色和其他色。鑄造用碳化硅盡量在90％左右，一是高純料，硬度高，熔點(diǎn)也高，低純料可能雜質(zhì)太多。還有一種再生碳化硅，較便宜，是用碳化硅回收的舊電器件加工而成。

在電爐里用料，盡量顆粒細(xì)一些，0.5－3毫米，這樣容易熔化，吸收，在沖天爐里使用，則塊度大一點(diǎn)，以免被強(qiáng)氣流沖出。高溫下，碳化硅分解成碳和硅離子，它們的化學(xué)特性是首先和氧反應(yīng)，所以有減輕鐵水的氧化作用，后分別進(jìn)入鐵水，首先成為石墨的結(jié)晶核心，大家都知道，碳和硅都有較強(qiáng)的孕育作用，所以它們對(duì)電爐和低碳硅鐵水的熔煉有很好的幫助。

高溫下的碳化硅材料合成材料有包括碳化硅電極、碳化硅模具和碳化硅制品三種，這三種材料中的碳化硅在高溫下，碳化硅很容易發(fā)生氧化燃燒反應(yīng)，造成材料表面膠碳層氣孔率增加和結(jié)構(gòu)疏松，影響使用壽命。碳化硅電極因高溫電弧會(huì)發(fā)生部分升華氧化，會(huì)造成碳化硅制品的不斷消耗，甚至發(fā)生斷裂、破損。而碳化硅制品損耗率會(huì)達(dá)到40—60%。

碳化硅制品經(jīng)過(guò)涂料浸漬涂刷處理后，其高溫ZS-1011碳化硅過(guò)度涂料液能滲入到碳化硅制品的氣孔中，排空碳化硅制品里殘留的空氣，在碳化硅制品氣孔及碳化硅制品表面形成一層保護(hù)膜。正是這層保護(hù)膜能有效的隔絕空氣直接與碳化硅制品接觸而發(fā)生氧化反應(yīng)，不會(huì)在高溫巨變中開(kāi)裂，脫落，從而能有效的延緩碳化硅制品的氧化，延長(zhǎng)碳化硅制品的使用壽命。