公司產(chǎn)品包括石英掩膜版，蘇打掩膜版，以及菲林版。蘇州制版根據(jù)客戶(hù)的構(gòu)想、草圖，定制版圖，蘇州制版提供高質(zhì)量掩膜版以及后期的代加工服務(wù)！

在刻畫(huà)時(shí)，采用步進(jìn)機(jī)刻畫(huà)(stepper)，其中有電子束和激光之分，激光束直接在涂有鉻層的4-9“ 玻璃板上刻畫(huà)，邊緣起點(diǎn)5mm，與電子束相比，其弧形更逼真，線(xiàn)寬與間距更小。光掩膜有掩膜原版(reticle mask，也有稱(chēng)為中間掩膜，reticle作為單位譯為光柵)，用步進(jìn)機(jī)重復(fù)將比例縮小到master maks上，應(yīng)用到實(shí)際曝光中的為工作掩膜(working mask)，工作掩膜由master mask復(fù)i制過(guò)來(lái)。石英掩膜版使用石英玻璃為基板材料，光學(xué)透過(guò)率高，熱膨脹率低，相比蘇打玻璃更為平整和耐磨，使用壽命長(zhǎng)，主要用于掩膜版使用蘇打玻璃作為基板材料，光學(xué)透過(guò)率較高，熱膨脹率相對(duì)高于石英玻璃，平整度和耐磨性相對(duì)弱于石英玻璃，主要用于中低精度掩膜版。

光掩膜是刻有微電路的版，由表面純平并帶有一層鉻的石英板或玻璃板制作而成，蝕刻后的殘留鉻部分即為設(shè)計(jì)的微電圖。這種制版方式在掩膜行業(yè)稱(chēng)為光透。

半導(dǎo)體集成電路制作過(guò)程通常需要經(jīng)過(guò)多次光刻襲工藝，在半導(dǎo)體晶體表面的介質(zhì)層上開(kāi)鑿各種摻雜窗口、電極接觸孔或在導(dǎo)電層上刻蝕金屬互連圖形。光刻工藝需要一整套（幾塊zhidao多至十幾塊）相互間能套準(zhǔn)的、具有特定幾何圖形的光復(fù)印掩蔽模版。

光刻是制造半導(dǎo)體器件和集成電路微圖形結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵工藝。其工藝質(zhì)量直接影響著器件成品率、可靠性、器件性能以及使用壽命等參數(shù)指標(biāo)。光罩是光刻工藝中的一個(gè)重要環(huán)節(jié)，光刻版必須非常潔凈，所有硅片上的電路元件都來(lái)自版圖。如果光刻版不潔凈，存在污染顆粒，這些顆粒就會(huì)被到硅片表面的光刻膠上，造成器件性能的下降。③結(jié)構(gòu)特征提取,用相似性變量或圖像匹配方法檢測(cè)和提取圖像中與掩模相似的結(jié)構(gòu)特征。