化學(xué)氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發(fā)化合物置于反應(yīng)室，當(dāng)高溫氣流進(jìn)入反應(yīng)室時(shí)，可控制的反應(yīng)室可使其發(fā)生一種合適的化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時(shí)將反應(yīng)產(chǎn)物及多余物從反應(yīng)室蒸發(fā)排除。

鍍膜機(jī)工藝在防偽技能中的運(yùn)用防偽膜品種許多，從運(yùn)用辦法可分為反射式和透射式；從膜系附著辦法能夠分為直接鍍膜式、直接鍍膜式或直接鍍膜剪貼式。

借助一種惰性氣體的輝光放電使金屬或合金蒸汽離子化。離子鍍包括鍍膜材料（如TiN，TiC）的受熱、蒸發(fā)、沉積過(guò)程。

蒸發(fā)的鍍膜材料原子在經(jīng)過(guò)輝光區(qū)時(shí)，一小部分發(fā)生電離，并在電場(chǎng)的作用下飛向工件，以幾千電子伏的能量射到工件表面，可以打入基體約幾納米的深度，從而大大提高了涂層的結(jié)合力，而未經(jīng)電離的蒸發(fā)材料原子直接在工件上沉積成膜。惰性氣體離子與鍍膜材料離子在工件表面上發(fā)生的濺射，還可以清除工件表面的污染物，從而改善結(jié)合力。

CVD 制備銥高溫涂層人們之所以對(duì)作涂層材料感興趣是由于這類金屬優(yōu)良的性能 。銥具有較強(qiáng)的能力和較高的熔點(diǎn)而受到重視, 是一種較理想的高溫涂層材料 。

20 世紀(jì) 60 年代以來(lái), 世界航空航天技術(shù)飛速發(fā)展,一些高熔點(diǎn)材料(如石墨碳和鎢鉬鉭鈮等難熔金屬)被大量使用,但這些材料的一個(gè)共同的致命缺點(diǎn)是能力差。

60 年代美國(guó)材料實(shí)驗(yàn)室(AFML)對(duì)石墨碳的銥保護(hù)涂層進(jìn)行過(guò)大量的研究, 采用了多種成型方法制備銥涂層 ,其中包括化學(xué)氣相沉積法 。雖然沒(méi)有制備出質(zhì)量令人滿意的厚銥涂層, 但仍認(rèn)為 CVD 是一種非常有希望且值得進(jìn)一步研究的方法。

PCVD工藝參數(shù)包括微觀參數(shù)和宏觀參數(shù)。微觀參數(shù)如電子能量、等離子體密度及分布函數(shù)、反應(yīng)氣體的離解度等。宏觀參數(shù)對(duì)于真空系統(tǒng)有，氣體種類、配比、流量、壓強(qiáng)、抽速等；對(duì)于基體來(lái)說(shuō)有，沉積溫度、相對(duì)位置、導(dǎo)電狀態(tài)等；對(duì)于等離子體有，放電種類、頻率、電極結(jié)構(gòu)、輸進(jìn)功率、電流密度、離子溫度等。以上這些參數(shù)都是相互聯(lián)系、相互影響的。