小型磁控濺射儀的優(yōu)勢(shì)

設(shè)備主要優(yōu)勢(shì)    

實(shí)用性：設(shè)備集成度高，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，可以滿足客戶實(shí)驗(yàn)室空間不足的苛刻條件；通過更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用；

方便性：設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插即用的方式，接線及安裝調(diào)試簡單，既保證了設(shè)備使用方便又保證了設(shè)備的整潔；

高性價(jià)比：設(shè)備主要零部件采用進(jìn)口或國內(nèi)品牌，以國產(chǎn)設(shè)備的價(jià)格擁有進(jìn)口設(shè)備的配置，從而保證了設(shè)備的質(zhì)量及性能；

安全性：獨(dú)立開發(fā)的PLC 觸摸屏智能操作系統(tǒng)在傳統(tǒng)操作系統(tǒng)的基礎(chǔ)上新具備了漏氣自檢與提示、通訊故障自檢、保養(yǎng)維護(hù)提示等功能，保證了設(shè)備的使用安全性能；

期望大家在選購磁控濺射產(chǎn)品時(shí)多一份細(xì)心，少一份浮躁，不要錯(cuò)過細(xì)節(jié)疑問。想要了解更多磁控濺射產(chǎn)品的相關(guān)資訊，歡迎撥打圖片上的熱線電話?。?！

磁控濺射的工作原理

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磁控濺射的工作原理是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E（電場(chǎng)）×B（磁場(chǎng)）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場(chǎng)，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運(yùn)動(dòng)，它們的運(yùn)動(dòng)路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內(nèi)，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實(shí)現(xiàn)了高的沉積速率。（1）各種功能性薄膜：如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。隨著碰撞次數(shù)的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠(yuǎn)離靶表面，并在電場(chǎng)E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經(jīng)歷復(fù)雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動(dòng)量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級(jí)聯(lián)過程。在這種級(jí)聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運(yùn)動(dòng)的足夠動(dòng)量，離開靶被濺射出來。

磁控濺射——濺射技術(shù)介紹

直流濺射法：直流濺射法要求靶材能夠?qū)碾x子轟擊過程中得到的正電荷傳遞給與其緊密接觸的陰極，從而該方法只能濺射導(dǎo)體材料，不適于絕緣材料。因?yàn)檗Z擊絕緣靶材時(shí)，表面的離子電荷無法中和，這將導(dǎo)致靶面電位升高，外加電壓幾乎都加在靶上，兩極間的離子加速與電離的機(jī)會(huì)將變小，甚至不能電離，導(dǎo)致不能連續(xù)放電甚至放電停止，濺射停止。主要用途：用于納米級(jí)單層及多層功能膜、硬質(zhì)膜、金屬膜、半導(dǎo)體膜、介質(zhì)膜等新型薄膜材料的制備。故對(duì)于絕緣靶材或?qū)щ娦院懿畹姆墙饘侔胁模氂蒙漕l濺射法（RF）。

濺射過程中涉及到復(fù)雜的散射過程和多種能量傳遞過程：入射粒子與靶材原子發(fā)生彈性碰撞，入射粒子的一部分動(dòng)能會(huì)傳給靶材原子；某些靶材原子的動(dòng)能超過由其周圍存在的其它原子所形成的勢(shì)壘（對(duì)于金屬是5-10 eV），從而從晶格點(diǎn)陣中被碰撞出來，產(chǎn)生離位原子；但有一共同點(diǎn)：利用磁場(chǎng)與電場(chǎng)交互作用，使電子在靶表面附近成螺旋狀運(yùn)行，從而增大電子撞擊氣產(chǎn)生離子的概率。這些離位原子進(jìn)一步和附近的原子依次反復(fù)碰撞，產(chǎn)生碰撞級(jí)聯(lián)；當(dāng)這種碰撞級(jí)聯(lián)到達(dá)靶材表面時(shí)，如果靠近靶材表面的原子的動(dòng)能大于表面結(jié)合能（對(duì)于金屬是1-6eV），這些原子就會(huì)從靶材表面脫離從而進(jìn)入真空。

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磁控濺射系統(tǒng)介紹

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真空泵和測(cè)量裝置：

低真空：干泵和convectron真空規(guī)

高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規(guī)

5.控制系統(tǒng)：

硬件：PLC和計(jì)算機(jī)觸摸屏控制

自動(dòng)和手動(dòng)沉積控制

主要特點(diǎn)：

射頻電源：基底預(yù)先清洗和等離子體輔助沉積

溫度控制器：基底加熱

大面積基底傳送裝置

冷卻系統(tǒng)