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發(fā)布時間:2021-01-08 09:17  
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如何選購光刻膠?
光刻加工工藝中為了圖形轉移,輻照必須作用在光刻膠上,通過改變光刻膠材料的性質,使得在完成光刻工藝后,光刻版圖形被在圓片的表面。而加工前,如何選用光刻膠在很大程度上已經決定了光刻的精度。盡管正性膠的分辨力是的,但實際應用中由于加工類型、加工要求、加工成本的考慮,需要對光刻膠進行合理的選擇。
劃分光刻膠的一個基本的類別是它的極性。光刻膠在曝光之后,被浸入顯影溶液中。在顯影過程中,正性光刻膠曝過光的區(qū)域溶解得要快得多。理想情況下,未曝光的區(qū)域保持不變。負性光刻膠正好相反,在顯影劑中未曝光的區(qū)域將溶解,而曝光的區(qū)域被保留。正性膠的分辨力往往是的,因此在IC制造中的應用更為普及,但MEMS系統(tǒng)中,由于加工要求相對較低,光刻膠需求量大,負性膠仍有應用市場。
何為光刻膠
光刻膠又稱光致抗蝕劑,是一種具有光化學敏感性的功能性化學材料,由光引發(fā)劑、光刻膠樹脂、單體(活性稀釋劑)、溶劑和其他助劑組成的對光敏感的混合液體,其中,樹脂約占50%,單體約占35%。
它被稱為是電子化工材料中技術壁壘較高的材料之一,主要利用光化學反應將所需要的微細圖形從掩模版轉移到待加工基片上,被廣泛應用于光電信息產業(yè)的微細圖形線路的加工制作,下游主要用于集成電路、面板和分立器件的微細加工,同時在 LED、光伏、磁頭及精密傳感器等制作過程中也有廣泛應用。
按照下游應用,光刻膠可分為半導體用光刻膠、LCD用光刻膠、PCB(印刷線路板)用光刻膠等,其技術壁壘依次降低。
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光刻膠的主要技術參數(shù)
1.靈敏度(Sensitivity)
靈敏度是衡量光刻膠曝光速度的指標。光刻膠的靈敏度越高,所需的曝光劑量越小。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。
2.分辨率(resolution)
區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關鍵尺寸(CD,Critical Dimension)來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小,光刻膠的分辨率越好。
光刻膠的分辨率是一個綜合指標,影響該指標的因素通常有如下3個方面:
(1) 曝光系統(tǒng)的分辨率。
(2) 光刻膠的對比度、膠厚、相對分子質量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。
(3) 前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響光刻膠的分辨率。
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