此方法所使用的溶液為二價(jià)銅, 不是氨-銅蝕刻, 它將有可能被用在印制電路工業(yè)中。 在 PCH 工業(yè)中, 蝕刻銅箔的典型厚度為 5 到 10 密耳(mils), 有些情況 下厚度卻相當(dāng)大。它對(duì)蝕刻參數(shù)的要求經(jīng)常比 PCB 工業(yè)更為苛刻。 有一項(xiàng)來自 PCM 工業(yè)系統(tǒng)但尚未正式發(fā)表的研究成果﹐相信其結(jié)果將會(huì)令人耳目一新。3、試刻這臺(tái)精細(xì)搖晃蝕刻機(jī)傳送帶可以無級(jí)調(diào)速，沖刷工夫的長(zhǎng)短可以在這里進(jìn)行調(diào)整。 由于有雄厚的項(xiàng)目支持﹐因此研究人員有能力從長(zhǎng)遠(yuǎn)意議上對(duì)蝕刻裝置的設(shè)計(jì)思想進(jìn) 行改變﹐同時(shí)研究這些改變所產(chǎn)生的效果。 比如說﹐與錐形噴嘴相比﹐采用扇形噴嘴的設(shè) 計(jì)效果更佳﹐而且噴淋集流腔 （即噴嘴擰進(jìn)去的那一段管） 也有一個(gè)安裝角度﹐對(duì)進(jìn)入蝕刻 艙中的工件呈 30 度噴射﹐若不進(jìn)行這樣的改變, 集流腔上噴嘴的安裝方式將會(huì)導(dǎo)致每個(gè)相 領(lǐng)噴嘴的噴射角度都不一致。

因?yàn)樯习迕嬗腥芤旱亩逊e﹐減弱了蝕刻反應(yīng)的進(jìn)行, 但可以通過調(diào)整上 下噴嘴的噴淋壓力來解決上下板面蝕刻不均的現(xiàn)象。 蝕刻工藝的一個(gè)普遍問題是在相同的時(shí)間里使全部板面都蝕刻干凈是很難做 到的。 因基板的邊緣位置比中心部位蝕刻得更快, 故很難做到同時(shí)使全部蝕刻都干 凈。2、用不干膠紙需要蝕刻的圖案、文字外，并貼在標(biāo)牌上，將石蠟的酒精溶液涂覆在不干膠紙條以外的部分，并等酒精揮發(fā)，使石蠟附在標(biāo)牌上形成了保護(hù)膜。 而采用噴淋系統(tǒng)并使噴嘴擺動(dòng)噴射是一個(gè)有效的解決措施。 要更進(jìn)一步地改 善, 可以透過對(duì)板中心和邊緣處不同的噴淋壓力, 以及對(duì)板前沿和板后端采用間歇 蝕刻的方法﹐達(dá)到整個(gè)板面的蝕刻均勻性。

試劑必須要通過 芯片上的小孔才能進(jìn)入通道網(wǎng)絡(luò)，所以通過微加工技術(shù)所制得的具有不同結(jié)構(gòu)和功 能單元的微流控芯片基片，在與蓋板封接之前必須在微通道末端打一小孔，組裝成 微流控成品才能使用。小孔可鉆在基片上，也可鉆在蓋板上。 ? 玻璃芯片的打孔方法包括金剛石打孔法，超聲波打孔法，和激光打孔法。在印制板的蝕刻過程中﹐隨著銅不斷地被溶解﹐當(dāng)溶解的比重不斷升高至超過一定的數(shù)值時(shí)﹐系統(tǒng)便會(huì)自動(dòng)補(bǔ)加氯化銨和氨的水溶液﹐使比重調(diào)整回合適的范圍。打孔后一 定要將芯片制作和打孔過程中所殘留的小顆粒、有機(jī)物和金屬物等清除干凈，包括 化學(xué)清洗，提高芯片表面平整度，以保證封接過程順利進(jìn)行 對(duì)玻璃和石英材質(zhì)刻蝕的微結(jié)構(gòu)一般使用熱鍵合方法，將加工好的基片和相同材質(zhì)的 蓋片洗凈烘干對(duì)齊緊貼后平放在高溫爐中，在基片和蓋片上下方各放一塊拋光過的石墨板， 在上面的石墨板上再壓一塊重 0.5kg 的不銹鋼塊，在高溫爐中加熱鍵合。

條寬損失 (Etch bias) 過蝕刻 (Over etch) – 在平均膜厚完全蝕刻掉以后的額外蝕刻。補(bǔ)償蝕刻速率和膜厚的不均勻 性。 殘留物 (Residues) – 在蝕刻和平版印刷過程中無意留下的物質(zhì)。 微掩膜（Micro-masking）-- 由于微粒，薄膜摻雜以及殘留物產(chǎn)生的無意留下的掩膜。由于電解蝕刻是在金屬導(dǎo)電的情況下形成蝕刻的，那么我們的產(chǎn)品在蝕刻下去有任何的深度時(shí)側(cè)面也將被蝕刻的，這樣很多精細(xì)圖案，精細(xì)文字將被蝕刻”爛“掉。 糊膠（Resist reticulation）-- 溫度超過 150 攝氏度時(shí)光刻膠產(chǎn)生的燃燒和折皺。 縱橫比（Aspect ratio）-- 器件結(jié)構(gòu)橫截面深度和寬度的比率。