黑碳化硅是以石英砂，石油焦和硅石為主要原料，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間，機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉，性脆而鋒利。黑碳化硅分黑碳化硅粒度砂和黑碳化硅微粉兩大類產(chǎn)品產(chǎn)品主要用于耐火材料類產(chǎn)品的制造、泡沫陶瓷行業(yè)、太陽(yáng)能硅板切割、水晶切割研磨、汽車發(fā)動(dòng)原件制造、特種涂料行業(yè)、塑料制品改性、脫硫、供電、環(huán)保行業(yè)等。碳化硅制品具有耐高溫、耐磨、耐熱震、耐化學(xué)腐蝕、耐輻射和杰出的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性等特別功用，因而在國(guó)民經(jīng)濟(jì)各部門中具有廣泛的用處。

綠碳化硅是以石油焦和硅石為主要原料，添加鹽作為添加劑，通過電阻爐高溫冶煉而成。其硬度介于剛玉和金剛石之間，機(jī)械強(qiáng)度高于剛玉。用綠碳化硅高溫，強(qiáng)度，良好的導(dǎo)熱性和耐沖擊性，高溫間接加熱材料；應(yīng)用在鋼鐵工業(yè)。用綠碳化硅的耐腐蝕，熱沖擊耐磨性和良好的導(dǎo)熱性能，提高使用壽命的大型高爐；高溫下，碳化硅分解成碳和硅離子，它們的化學(xué)特性是首先和氧反應(yīng)，所以有減輕鐵水的氧化作用，后分別進(jìn)入鐵水，首先成為石墨的結(jié)晶核心，大家都知道，碳和硅都有較強(qiáng)的孕育作用，所以它們對(duì)電爐和低碳硅鐵水的熔煉有很好的幫助。應(yīng)用在冶金礦石加工。綠碳化硅具有較強(qiáng)的耐磨性，硬度次于金剛石，是理想的材料。

碳化硅是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧，和原工藝相比各項(xiàng)理化性能更加穩(wěn)定脫氧效果好。

碳化硅可以作為硅鐵的替代品使用。并且在投爐中不會(huì)產(chǎn)生粉塵污染，反應(yīng)速度快、降低成本。

碳化硅氧化時(shí)產(chǎn)生的反應(yīng)熱能，可減少電的使用量，使操作時(shí)間縮短。隨著各種冶煉技術(shù)的升級(jí)，碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域也在逐漸擴(kuò)大，在各行各業(yè)的作用也越來(lái)越多。

碳化硅基功率開關(guān)由于具有較低的開啟態(tài)電阻，并且能應(yīng)用于高壓、高溫、高頻場(chǎng)合，是硅基器件的理想替代者，如果使用碳化硅功率模塊，與使用硅功率電源裝置相比，由開關(guān)損失引起的功率損耗可降低5倍以上，對(duì)未來(lái)電網(wǎng)形態(tài)和能源戰(zhàn)略調(diào)整將產(chǎn)生重大影響，其體積與重量減小40%以上。5級(jí)，僅次于較硬的金剛石（10級(jí)），具有優(yōu)良的導(dǎo)熱性能，是一種半導(dǎo)體。

碳化硅功率器件針對(duì)太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源設(shè)備以及風(fēng)能電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等大功率模組件的應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)，以更小尺寸、更低物料成本以及更高的效率。碳化硅器件規(guī)模應(yīng)用于固態(tài)斷路器、換流閥、有源濾波等已有裝備為實(shí)現(xiàn)智能電網(wǎng)、加速我國(guó)能源戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型提供核心元器件及關(guān)鍵裝備等支撐。在特種炭素資料生物炭的制造中，常以丙烷為氣體質(zhì)料，經(jīng)高溫?zé)峤夥错?，在石墨基體上堆積生成含硅熱解炭涂層，以添加制品的硬度、強(qiáng)度和耐磨性。

綠碳化硅制成的磨具，多用于硬質(zhì)合金、鈦合金、光學(xué)玻璃的磨削，一起也用于缸套的珩磨。立方碳化硅磨具于微型軸承的超精磨。用電鍍辦法將碳化硅微粉涂敷于水輪機(jī)葉輪上，可大大提高葉輪的耐磨性；在電子工業(yè)中，如在工業(yè)碳化硅爐內(nèi)或在工業(yè)爐上用特別辦法培育出來(lái)大片完好的碳化硅單晶體，可作為發(fā)光二極管的基片。用機(jī)械壓力將立方體SiC200號(hào)磨粉與W28微粉壓入內(nèi)燃機(jī)的汽缸壁上，可延長(zhǎng)缸體壽數(shù)一倍以上。

在電氣工業(yè)中，碳化硅可用做避雷器閥體、硅碳電熱元件、遠(yuǎn)紅外線發(fā)生器等。在電子工業(yè)中，如在工業(yè)碳化硅爐內(nèi)或在工業(yè)爐上用特別辦法培育出來(lái)大片完好的碳化硅單晶體，可作為發(fā)光二極管的基片；碳化硅應(yīng)用使鑄鐵中石墨的形態(tài)主要是細(xì)小而且均勻分布的A型石墨，從而改善鑄鐵的力學(xué)性能。高純碳化硅晶體是制造耐輻射高溫半導(dǎo)體的材料。碳化硅是少量禁帶寬度大(2.86eV)且具有P及n兩種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體資料之一。