金屬表面處理因而用碳纖維(石墨纖維)增強的銅基復(fù)合材料在高功率密度應(yīng)用領(lǐng)域很有吸引力。與銅復(fù)合的材料沿碳纖維長度方向CTE為-0．5×10-6K-1，熱導率600-750W(m-1K-1)，而垂直于碳纖維長度方向的CTE為8×10-6K-1,熱導率為51-59W(m-1K-1)，比沿纖維長度方向的熱導率至少低一個數(shù)量級。用作封裝的底座或散熱片時，這種復(fù)合材料把熱量帶到下一級時，并不十分有效，但是在散熱方面是極為有效的。這與纖維本身的各向異性有關(guān)，纖維取向以及纖維體積分數(shù)都會影響復(fù)合材料的性能。為了減少陶瓷基板上的應(yīng)力，設(shè)計者可以用幾個較小的基板來代替單一的大基板，分開布線。美國Sencitron企業(yè)在TO-254氣密性金屬封裝中應(yīng)用陶瓷絕緣子與Glidcop導線封接。退火的純銅由于機械性能差，很少使用。加工硬化的純銅雖然有較高的屈服強度，但在外殼制造或密封時不高的溫度就會使它退火軟化，在進行機械沖擊或恒定加速度試驗時造成外殼底部變形。

 傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(shù)(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。金屬封裝材料為實現(xiàn)對芯片支撐、電連接、熱耗散、機械和環(huán)境的保護，應(yīng)具備以下的要求：①與芯片或陶瓷基板匹配的低熱膨脹系數(shù),減少或避免熱應(yīng)力的產(chǎn)生；但密度大也使Cu／W具有對空間輻射總劑量(TID)環(huán)境的優(yōu)良屏蔽作用，因為要獲得同樣的屏蔽作用，使用的鋁厚度需要是Cu／W的16倍。新型的金屬封裝材料及其應(yīng)用除了Cu／W及Cu／Mo以外，傳統(tǒng)金屬封裝材料都是單一金屬或合金，它們都有某些不足，難以應(yīng)對現(xiàn)代封裝的發(fā)展。金屬封裝外殼CNC與壓鑄結(jié)合就是先壓鑄再利用CNC精加工。工藝優(yōu)缺點：CNC工藝的成本比較高，材料浪費也比較多，當然這種工藝下的中框或外殼質(zhì)量也好一些。傳統(tǒng)金屬封裝材料包括Al、Cu、Mo、W、鋼、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等國內(nèi)外已廣泛生產(chǎn)并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。

金屬表面處理解決能夠根據(jù)改變提高體的類型、體積分數(shù)、排序方法或改變常規(guī)鋁合金，改變材料的熱工藝性能，考慮封裝熱失配的規(guī)定，乃至簡單化封裝的設(shè)計方案;②材料生產(chǎn)制造靈便，價錢持續(xù)減少，非常是可立即成型，防止了價格昂貴的生產(chǎn)加工花費和生產(chǎn)加工導致的材料耗損；世界各國已普遍生產(chǎn)制造并且用在功率大的微波加熱管、大功率激光二極管和一些功率大的集成電路芯片控制模塊上。因為Cu-Mo和Cu-W中間不混溶或浸潤性偏差，更何況二者的溶點相距挺大，給材料制取產(chǎn)生了一些難題；假如制取的Cu／W及Cu／Mo高密度水平不高，則密封性無法得到確保，危害封裝特性。另一個缺陷是因為W的百分之成分高而造成 Cu／W相對密度很大，提升了封裝凈重。除此之外，為處理封裝的熱管散熱難題，各種封裝也大多數(shù)應(yīng)用金屬材料做為熱沉和散熱器。文中關(guān)鍵詳細介紹在金屬封裝中應(yīng)用和已經(jīng)開發(fā)設(shè)計的金屬材料，這種材料不但包含金屬封裝的罩殼或基座、導線應(yīng)用的金屬材料，也包含可用以各種各樣封裝的基鋼板、熱沉和散熱器的金屬材料。金屬表面處理解決多種形式、生產(chǎn)加工靈便，能夠和一些構(gòu)件(如混和集成化的A／D或D／A轉(zhuǎn)化器)結(jié)合為一體，合適于低I／O數(shù)的單芯片和多集成ic的主要用途，也合適于頻射、微波加熱、光學、聲表面波和大功率器件，能夠考慮批量生產(chǎn)、銷售電價的規(guī)定。

金屬表面處理種類有哪些

我們在此為大家介紹幾種常見的表面處理種類及其作用。

靜電噴涂

靜電噴涂利用的是高壓靜電場作用，將帶浮點的涂料微粒沿著電場相反的方向定向運動，將涂料微粒吸附在工件表面。

靜電噴涂一次涂裝就可以得到較厚的涂層，粉末涂料無溶劑沒有公害，改善了勞動衛(wèi)生條件。采用粉末靜電噴涂等新工藝，效率較高，對于自動流水線生產(chǎn)有很好的表現(xiàn)，而且可以回收使用。