光伏組件材料分類

當(dāng)前，晶體硅材料（包括多晶硅和單晶硅）是的光伏材料，其市場(chǎng)占有率在90%以上,而且在今后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)期也依然是太陽(yáng)能電池的主流材料。多晶硅材料的生產(chǎn)技術(shù)長(zhǎng)期以來(lái)掌握在美、日、德等3個(gè)國(guó)家7個(gè)公司的10家工廠手中，形成技術(shù)、市場(chǎng)壟斷的狀況。多晶硅的需求主要來(lái)自于半導(dǎo)體和太陽(yáng)能電池。按純度要求不同，分為電子級(jí)和太陽(yáng)能級(jí)。

用于電子級(jí)多晶硅占55%左右，太陽(yáng)能級(jí)多晶硅占45%，隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，太陽(yáng)能電池對(duì)多晶硅需求量的增長(zhǎng)速度高于半導(dǎo)體多晶硅的發(fā)展，預(yù)計(jì)到2008年太陽(yáng)能多晶硅的需求量將超過電子級(jí)多晶硅。 1994年全世界太陽(yáng)能電池的總產(chǎn)量只有69MW，而2004年就接近1200MW，在短短的10年里就增長(zhǎng)了17倍。

微晶硅(uc-Si)太陽(yáng)能板 

為了獲得具有高穩(wěn)定性的硅基薄膜太陽(yáng)能板，近年來(lái)又出現(xiàn)了微晶薄膜硅太陽(yáng)能板，微晶硅可以在接近室溫的低溫下制備，特別是使用大量氫氣稀釋的，可以生成晶粒尺寸10nm的微晶硅薄膜，薄膜厚度一一般在2 ～3um。到20世紀(jì)90年代中期,微晶硅電池的效率已經(jīng)超過非晶硅，達(dá)到10%以上,而且沒有出現(xiàn)光致效應(yīng)，但至今尚未達(dá)到大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的水平?，F(xiàn)在已投人實(shí)際應(yīng)用的是以非晶硅太陽(yáng)電池為頂層、微晶硅太陽(yáng)能板為底層的(sipe-S5)疊層太陽(yáng)能板。目前微晶硅(B,=1eV)和非品硅(E.=1.7eV)的看層大電池轉(zhuǎn)換效率已經(jīng)超過14，顯示出良好的應(yīng)用前景。然而，由于微品硅薄限中合有大量的非品鞋所以不能黎單品硅那樣直接形成PAN結(jié)面必須微成PIN結(jié)因此，如極放的來(lái)被缺街很低的本征法以及在溫度比較低的藝條件下制備非品社合很少的微品法集取，是今后進(jìn)一步提高微品硅太陽(yáng)電池轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵。

光伏電池組件的傾斜角

傾斜角是太陽(yáng)電池方陣平面與水平地面的夾角，并希望此夾角是方陣一年中發(fā)電量為時(shí)的傾斜角度。一年中的傾斜角與當(dāng)?shù)氐牡乩砭暥扔嘘P(guān)，當(dāng)緯度較高時(shí)，相應(yīng)的傾斜角也大。但是，和方位角一樣，在設(shè)計(jì)中也要考慮到屋頂?shù)膬A斜角及積雪滑落的傾斜角（斜率大于50%-60%）等方面的限制條件。

對(duì)于積雪滑落的傾斜角，即使在積雪期發(fā)電量少而年總發(fā)電量也存在增加的情況，因此，特別是在并網(wǎng)發(fā)電的系統(tǒng)中，并不一定優(yōu)先考慮積雪的滑落，此外，還要進(jìn)一步考慮其它因素。對(duì)于正南（方位角為0°度），傾斜角從水平（傾斜角為0°度）開始逐漸向的傾斜角過渡時(shí)，其日射量不斷增加直到值，然后再增加傾斜角其日射量不斷減少。特別是在傾斜角大于50°～60°以后，日射量急劇下降，直至到后的垂直放置時(shí)，發(fā)電量下降到。方陣從垂直放置到10°～20°的傾斜放置都有實(shí)際的例子。