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了解了肖特基二極管的基本原理，那你知道肖特基勢(shì)壘二極管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)是怎樣的嗎？接下來(lái)就由ASEMI專業(yè)技術(shù)工程師為您解析這一問(wèn)題。

典型的肖特基整流管的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)是以N型半導(dǎo)體為基片，在上面形成用shen作摻雜劑的N-外延層。陽(yáng)極使用鉬或鋁等材料制成阻檔層。用二氧化硅(SiO2)來(lái)消除邊緣區(qū)域的電場(chǎng)，提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻，其摻雜濃度較H-層要高100%倍。

根據(jù)萬(wàn)用表示數(shù)分析，肖特基二極管測(cè)試結(jié)論如下（其中①②③為肖特基二極管自左而右的三只引腳編碼）:

一，根據(jù)①-②、③-②間均可測(cè)出正向電阻，判定被測(cè)管為共陰對(duì)管，①、③腳為兩個(gè)陽(yáng)極，②腳為公共陰極。

二，因①-②、③-②之間的正向電阻只幾歐姆，而反向電阻為無(wú)窮大，故具有單向?qū)щ娦浴?

三，內(nèi)部?jī)芍恍ぬ鼗O管的正向?qū)▔航捣謩e為0.315V、0.33V，均低于手冊(cè)中給定的允許值VFM(0.55V)。

Schottky Barrier Diode:肖特基勢(shì)壘二極管，簡(jiǎn)稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有簡(jiǎn)寫為：SBD來(lái)命名產(chǎn)品型號(hào)前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

　　因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢(shì)壘二極管，它是一種熱載流子二極管。