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陶瓷電容器廠家服務介紹 北京七星飛行公司

發(fā)布時間:2020-12-21 19:22  

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智能電容器一般會出現(xiàn)什么問題?

精度能達到0.5級,局放<5pC@14.4kV,介質損耗<0.1%,雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs,正負極性各 15 次。

1、電容器的溫度過高:電容器在運行時產(chǎn)生的電壓以及附近整流裝置會導致電容器超過額定的溫度上線,再加上有些電容器室的設計不合理,利于通風條件差、室內太封閉等都很容易致使溫度的上升。

2、滲漏油:搬運的方法不正確或者是提拿絕緣套管會導致其法蘭焊接處產(chǎn)生裂縫,或者是在接線的時候,擰螺絲用力過度造成絕緣管套損傷,這都是造成電容器出現(xiàn)滲漏油的原因。

長時間的運行會導致電容器的外殼漆層脫落也會導致滲漏油,如果電容器的溫度再過高時,漏油的情況就如火上澆油一般的惡劣,那么一旦發(fā)生漏油時就會致使浸漬劑減少,元件受潮造成電容器被破壞,因此出現(xiàn)了漏油現(xiàn)象我們應該即使處理。







高壓電力電容器的安裝、使用和維護

1 安裝前的檢查

1.1

外觀檢查:檢查電容器的油漆情況,外殼、出線瓷套有無損傷以及是否存在滲漏油現(xiàn)象。

1.2

電容值檢查:檢查電容器的電容值是否與銘牌上標稱的電容值相符,測量值一般不超過標稱容值的±5%。(公式:Q=ωCU2  Q—電容器的容量 U—電容器的額定電壓

ω—角頻率 ω=2πf  C—電容器的電容值。)

2 電容器的安裝

2.1

電容器多臺安裝時,水平間隔一般不小于60mm。

2.2

電容器出線瓷套的導電連接不得直接使用硬質導電排,應采用軟銅線或軟銅編織帶,其截面一般應按4A/mm2選用。

2.3

安裝時不應拉扯電容器出線瓷套,自愈式電容器,緊固螺栓時不應用力過猛,以防掰斷電容器瓷套的接線柱。

3 電容器的保護

3.1

熔斷器保護是電容器內部故障的主要保護,一般選用噴逐式熔斷器,電容器,熔斷器熔絲的額定電流按電容器額定電流的1.5倍考慮。(公式:I=Q/U  Q—電容器的容量  U—電容器的額定電壓 例:BAM6.6/√3-100-1中6.6/√3是電容器的額定電壓,100是電容器的容量。再乘以1.5倍的安全系數(shù),就是熔斷器熔絲的額定電流。I=100kv÷6.6/√3kV=26.24A,電容器,I=26.24A×1.5=39.36A,所以熔絲額定電流選用39A或40A。A、因為電解電容的容量較一般固定電容大得多,所以,測量時,應針對不同容量選用合適的量程。)熔斷器安裝時,應確保底座的安裝角度為85~105°之間。

3.2

繼電保護是電容器內部故障的后備保護,整定的原則是故障的電容器退出運行后,造成的三相不平衡危機完好電容器的安全運行時,保護應該動作。


超級電容器的三種組成方式

常見的超級電容器有三種組成方式:串聯(lián)方式、并聯(lián)方式和串并混聯(lián)方式。串聯(lián)方式的超級電容器組件:由于超級電容器的單體工作電壓不高,不能覆蓋應用工況的電壓需求范圍,需要將多個單體串聯(lián)來滿足應用工況的電壓要求,但因單體電容器之間的固有差異,作用在串聯(lián)組件上的總電壓并不能均衡地分配給不同的電容器,它會導致電壓分配的不對稱。現(xiàn)在有的用紙、膜復合介質來制造電力電容器的資料也是市面上比較常見的一種做法。

并聯(lián)方式的超級電容:以并聯(lián)方式建構的超級電容器組件可以輸出或接受很大的電流。在充電過程中,由串聯(lián)充電電阻保證單體之間的電壓分布,但超級電容器本身固有的充電電阻是一個動態(tài)的量,具有一定的分散性,使得調整電阻變化的控制電路極其復雜,難以實現(xiàn)逐點控制;在放電過程中,控制放電電阻,可獲得很高的輸出功率,但為了避免放電電流過大,保證許可的輸出功率,要適當控制組件的貯能量。15kV及以上的電容器,必須在每個電容器上裝置單獨的熔斷器,熔斷器的額定電流應按熔絲的特性和接通時的涌流來選定,一般為1。

中國電線電纜市場有7000多家生產(chǎn)企業(yè),主要集中在廣東省、江蘇省、河北省、安徽省、河南、重慶、山東等地。近幾年隨著經(jīng)濟發(fā)展中面臨能源、電力緊張的瓶頸性問題,我國不斷加大對電力方面的投資,使得電線電纜行業(yè)步入了飛躍發(fā)展期。

雖然國內電線電覽行業(yè)近來依托智能電網(wǎng)設及農(nóng)村電網(wǎng)改造等基建工程取得較好成績,但是我國電線電纜產(chǎn)業(yè)的發(fā)展還是受到非常大的制約。



電容器的投切方式二

精度能達到0.5級,局放<5pC@14.4kV,介質損耗<0.1%,雷電沖擊75kVAC,1.2/50μs,正負極性各 15 次

電子式無觸點可控硅投切電容器裝置(TSC)可控硅投切電容器,是利用了電子開關反應速度快的特點。采用過零觸發(fā)電路,檢測當施加到可控硅兩端電壓為零時,發(fā)出觸發(fā)信號,可控硅導通。此時電容器的電壓與電網(wǎng)電壓相等,因此不會產(chǎn)生合閘涌流,解決了接觸器合閘涌流的問題。但是,可控硅在導通運行時,可控硅結間會產(chǎn)生一伏左右的壓降,通常15KVAR三角形接法的電容器,額定電流22A,則一個可控硅消耗功率約為22W。如以一個150KVAR電容柜來算,運行時可控硅投切裝置消耗的功率可達600W,而且都變成熱量,使機柜溫度升高。同時可控硅有漏電流存在,當未接電容時,即使可控硅未導通,其輸出端也是高電壓。把電容器的一個極板接電源(如電池組)的正極,另一個極板接電源的負極,兩個極板就分別帶上了等量的異種電荷。優(yōu)點:無涌流,無觸點,使用壽命長、維修少,投切速度快(5ms內);缺點:價格高為接觸器的3倍、投切速度0.5s左右