光刻膠的應(yīng)用

光刻膠的應(yīng)用

       1975年，美國的國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料協(xié)會首先為微電子工業(yè)配套的超凈高純化學(xué)品制定了國際統(tǒng)一標準——SEMI標準。1978年，德國的伊默克公司也制定了MOS標準。兩種標準對超凈高純化學(xué)品中金屬雜質(zhì)和(塵埃)微粒的要求各有側(cè)重，分別適用于不同級別IC的制作要求。預(yù)計2017和2018年全球半導(dǎo)體用光刻膠市場將分別達到15。其中，SEMI標準更早取得世界范圍內(nèi)的普遍認可。

光刻膠市場

我國光刻膠市場規(guī)模2015年已達51.7億元，同比增長11%，高于國際市場增速，但全球占比仍不足15%，發(fā)展空間巨大。2015年我國光刻膠產(chǎn)量為9.75萬噸，而需求量為10.12萬噸，依照需求量及產(chǎn)量增速預(yù)計，未來仍將保持供不應(yīng)求的局面。據(jù)智研咨詢估計，得益于我國平面顯示和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，我國光刻膠市場需求，在2022年可能突破27.2萬噸。在光刻膠生產(chǎn)種類上，我國光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠，而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小，相關(guān)光刻膠主要依賴進口。前道工藝出了問題，保證不了科研與生產(chǎn)，光刻膠國產(chǎn)化就遙遙無期。放眼國際市場，光刻膠也主要被美國Futurrex 的光刻膠、日本合成橡膠（JSR）、東京應(yīng)化（TOK）、住友化學(xué)、美國杜邦、德國巴斯夫等化工寡頭壟斷。

光刻工藝主要性一

光刻膠不僅具有純度要求高、工藝復(fù)雜等特征，還需要相應(yīng)光刻機與之配對調(diào)試。一般情況下，一個芯片在制造過程中需要進行10~50道光刻過程，由于基板不同、分辨率要求不同、蝕刻方式不同等，不同的光刻過程對光刻膠的具體要求也不一樣，即使類似的光刻過程，不同的廠商也會有不同的要求。據(jù)悉，經(jīng)過項目組全體成員的努力攻關(guān)，完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā)，達到了任務(wù)書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標。

針對不同應(yīng)用需求，光刻膠的品種非常多，這些差異主要通過調(diào)整光刻膠的配方來實現(xiàn)。因此，通過調(diào)整光刻膠的配方，滿足差異化的應(yīng)用需求，是光刻膠制造商核心的技術(shù)。

此外，由于光刻加工分辨率直接關(guān)系到芯片特征尺寸大小，而光刻膠的性能關(guān)系到光刻分辨率的大小。限制光刻分辨率的是光的干涉和衍射效應(yīng)。光刻分辨率與曝光波長、數(shù)值孔徑和工藝系數(shù)相關(guān)。