光刻膠：用化學反應進行圖像轉(zhuǎn)移的媒介

光刻膠具有光化學敏感性，其經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝，可以將設計好的微細圖形從掩膜版轉(zhuǎn)移到待加工基片。

光刻膠和集成電路制造產(chǎn)業(yè)鏈的前端的即為光刻膠專用化學品，生產(chǎn)而得的不同類型的光刻膠被應用于消費電子、家用電器、信息通訊、汽車電子、航空航天等在內(nèi)的各個下游終端領(lǐng)域，需求較為分散。

光刻膠基于應用領(lǐng)域不同一般可以分為半導體集成電路（IC）光刻膠、 PCB光刻膠以及LCD光刻膠三個大類。其中， PCB光刻膠占全球市場24.5%，半導體IC光刻膠占全球市場24.1%，LCD光刻膠占全球市場26.6%。

光刻膠國內(nèi)的研發(fā)起步較晚

光刻膠的研發(fā)，關(guān)鍵在于其成分復雜、工藝技術(shù)難以掌握。光刻工藝重要性二光刻膠的曝光波長由寬譜紫外向g線→i線→KrF→ArF→EUV(13。光刻膠主要成分有高分子樹脂、色漿、單體、感光引發(fā)劑、溶劑以及添加劑，開發(fā)所涉及的技術(shù)難題眾多，需從低聚物結(jié)構(gòu)設計和篩選、合成工藝的確定和優(yōu)化、活性單體的篩選和控制、色漿細度控制和穩(wěn)定、產(chǎn)品配方設計和優(yōu)化、產(chǎn)品生產(chǎn)工藝優(yōu)化和穩(wěn)定、終使用條件匹配和寬容度調(diào)整等方面進行調(diào)整。因此，要自主研發(fā)生產(chǎn)，技術(shù)難度非常之高。

在光刻膠研發(fā)上，我國起步晚，2000年后才開始重視。近幾年，雖說有了快速發(fā)展，但整體還處于起步階段。事實上，工藝技術(shù)水平與國外企業(yè)有著很大的差距，尤其是材料及設備都仍依賴進口。

NR9-3000PYNR9 3000P光刻膠報價

四、前烘（Soft Bake）

完成光刻膠的涂抹之后，需要進行軟烘干操作，這一步驟也被稱為前烘。前烘能夠蒸發(fā)光刻膠中的溶劑溶劑、能使涂覆的光刻膠更薄。

在液態(tài)的光刻膠中，溶劑成分占65％－85％。雖然在甩膠之后，液態(tài)的光刻膠已經(jīng)成為固態(tài)的薄膜，但仍有10％－30％的溶劑，容易沾污灰塵。通過用強酸刻蝕玻璃板，Niepce在1827年制作了一個d’Amboise主教的雕板相的產(chǎn)品。通過在較高溫度下進行烘培，可以使溶劑從光刻膠中揮發(fā)出來（前烘后溶劑含量降至5％左右），從而降低了灰塵的沾污。同時，這一步驟還可以減輕因高速旋轉(zhuǎn)形成的薄膜應力，從而提高光刻膠 襯底上的附著性。

在前烘過程中，由于溶劑揮發(fā)，光刻膠厚度也會減薄，一般減薄的幅度為10％－20％左右。

美國Futurre光刻膠

30．想請教國產(chǎn)光刻膠不能達到膜厚要求，進口的有沒有比較好的光刻膠啊？

都可以??！goodpr是大陸比較多公司采用的，

但是Futurre 光刻膠在國外是比較有名氣的，包括很多大型企業(yè)都有用，膜厚做的也

比較厚從18um-200um都 可以做到，看你對工藝的要求了。

光刻膠品牌FUTURRE光刻膠產(chǎn)品屬性：

1  FUTURRE光刻膠產(chǎn)品簡要描述及優(yōu)勢:

1.1   Futurre光刻膠黏附性好，無需使用增粘劑（HMDS）

1.2  負性光刻膠常溫下可保存3年

1.3  150度烘烤，縮短了烘烤時間

1.4  單次旋涂能夠達到100um膜厚

1.5  顯影速率快，100微米的膜厚，僅需6~8分鐘