三、華科智源IGBT測試儀系統(tǒng)特征： A：測量多種IGBT、MOS管 B：脈沖電流1200A，電壓5KV，測試范圍廣；6雙電流脈沖的設置：Vcc,Ic,電感值，間隙時間（10到50us）(脈寬自動計算)。 C：脈沖寬度 50uS~300uS D：Vce測量精度2mV E：Vce測量范圍>10V F：電腦圖形顯示界面 G：智能保護被測量器件 H：上位機攜帶數(shù)據(jù)庫功能 I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降 J : 一次測試IGBT全部靜態(tài)參數(shù) K: 生成測試曲線（IV曲線直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位） L:可以進行不同曲線的對比，觀測同一批次產(chǎn)品的曲線狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線對比；

華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規(guī)格書的要求外，在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。本技術規(guī)范所使用的標準如遇與供貨方所執(zhí)行的標準不一致時，應按較高標準執(zhí)行。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設備安全技術規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設備結(jié)構(gòu)總技術條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

如何執(zhí)行導通參數(shù)與漏電流的量測？

?測試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來輸入，而測量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，便為不良品。

大功率I g b t模塊測試系統(tǒng)簡介

我公司所設計生產(chǎn)的半導體元件自動測試系統(tǒng)具備下列測試能力：

☆可單機獨立操作，測試范圍達2000V及50A。

☆外接大電流擴展裝置，檢測范圍可擴展1600A。

主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；