氧化鋅（ZnO）單晶是具有半導體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高1性能的移動通訊基片材料和優(yōu)1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅（ZnO）與GaN的晶格失配度特別小，是GaN外延生長理想的襯底材料。同時由于具有可見區(qū)透明，機電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質,有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。

氧化鋅（ZnO）是一致熔融化合物,熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅（ZnO）的揮發(fā)性很強，傳統(tǒng)的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅（ZnO）晶體體單晶。作為氧化鋅單晶的培養(yǎng)方法，已知有利用水熱合成法的培養(yǎng)方法。水熱合成法是 在高溫高壓的原料水溶液中培養(yǎng)晶體的方法，是利用由溫差引起的過飽和度使晶體在晶種 上析出的方法。

氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能Ⅱ-Ⅵ族半導體材料,具有優(yōu)良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。ZnO半導體室溫帶隙為3.37eV,且束縛激子能高達60MeV,使其在紫外半導體光電器件方面具有很大潛在應用價值。制備難度和誘人的應用前景使得氧化鋅晶體的生長技術成為材料研究的熱點。氧化鋅晶體可控生長的關鍵是控制成核和生長過程,而試驗中各工藝參數(shù)決定著成核和生長過程,控制了氧化鋅晶體的尺寸。

氧化鋅（ZnO），俗稱鋅白，是鋅的一種氧化物。難溶于水，可溶于酸和強堿。氧化鋅是一種常用的化學添加劑，廣泛地應用于塑料、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料、藥膏、粘合劑、食品、電池、阻燃劑等產(chǎn)品的制作中。氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大，透明度高，有優(yōu)異的常溫發(fā)光性能，在半導體領域的液晶顯示器、薄膜晶體管、發(fā)光二極管等產(chǎn)品中均有應用。此外，微顆粒的氧化鋅作為一種納米材料也開始在相關領域發(fā)揮作用。