華科智源IGBT測(cè)試儀制造標(biāo)準(zhǔn) 華科智源IGBT測(cè)試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計(jì)、制造、試驗(yàn)、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標(biāo)準(zhǔn)的版本。當(dāng)大功率元件在作導(dǎo)通參數(shù)的測(cè)試時(shí)，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時(shí)，在作關(guān)閉參數(shù)的漏電流測(cè)試時(shí)，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。 GB/T 29332-2012 半導(dǎo)體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導(dǎo)則 GB19517-2004 國(guó)家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護(hù)等級(jí)（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲(chǔ)運(yùn)圖示標(biāo)志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計(jì)和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導(dǎo)體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。01～50mA集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V。長(zhǎng)期使用后若溫升過高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

測(cè)試大功率元件應(yīng)用范例說明？

2011年，我們?cè)谏钲诘罔F運(yùn)營(yíng)公司前海車輛段大修車間，進(jìn)行了實(shí)際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測(cè)試，其中一部份由于損毀嚴(yán)重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進(jìn)入實(shí)質(zhì)的參數(shù)量測(cè)，也有全新的IGBT，量測(cè)結(jié)果完全合乎出廠規(guī)格.對(duì)其測(cè)試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測(cè)試給機(jī)車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。買方有權(quán)要求賣方委托第三方進(jìn)行有關(guān)參數(shù)的測(cè)試，以確保出廠測(cè)試的參數(shù)真實(shí)有效。用戶能對(duì)舊品元件作篩選，留下可用元件，確實(shí)掌握設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的可靠度。