光催化處理設(shè)備

水分子吸附在催化劑外表將與空穴反響發(fā)作一些羥基，他們能夠氧化一些污染物，在光催化反響其他條件如，光強(qiáng)、溫度、污染物濃度、催化劑等不變的情況下，水蒸氣濃度從低到高，閱歷了兩個(gè)進(jìn)程：在相對(duì)濕度較小時(shí)，光催化反應(yīng)對(duì)VOCS的去除率跟著水蒸氣濃度添加而添加；光催化處理設(shè)備相對(duì)濕度較大時(shí)，光催化反響對(duì)VOCS的去除率隨水蒸氣濃度的添加而相應(yīng)減小。其原因是在進(jìn)程中，即在相對(duì)濕度較小時(shí)，羥基自在基的生成濃度操控著反響對(duì)VOCS的去除率，濕度添加提高了發(fā)作羥基自在基的濃度，提高了光催化反響的去除率，該階段稱為羥基自在基濃度操控進(jìn)程。獨(dú)自運(yùn)用UV所發(fā)生的臭氧濃度較高，當(dāng)參加催化劑后進(jìn)行光催化反響后臭氧濃度顯著下降。

在光催化處理設(shè)備進(jìn)程中，即相對(duì)濕度較高時(shí)，由于在反響進(jìn)程中水蒸氣和污染物在催化劑外表發(fā)作競(jìng)賽性吸附，因濕度的添加，污染物在催化劑外表的吸附量削減，光催化反響去除率下降，該階段稱為競(jìng)賽吸附操控進(jìn)程。吸附層上方設(shè)置催化焚燒設(shè)備，當(dāng)吸附層挨近飽滿時(shí)，PLC控制器主動(dòng)封閉進(jìn)氣閥門，敞開(kāi)催化焚燒進(jìn)氣閥門、催化焚燒電加熱器。前期的學(xué)者們發(fā)現(xiàn)光催化反響中， 很大程度上由羥基自在基操控，在水蒸氣存在的條件下雖然這些自在基顯現(xiàn)出較高的反響速率，可是水蒸氣也會(huì)使一些光催化降解反響遭到阻止，例如甲醛、家苯，水蒸氣在催化劑外表吸附會(huì)對(duì)光催化反響發(fā)作不良影響，由于污染物和水蒸氣在催化劑活性方位發(fā)作了競(jìng)賽吸附下降了污染物的去除率。光催化處理設(shè)備在必定范圍內(nèi)相對(duì)濕度添加會(huì)是VOCs的降解率上升.

光催化處理設(shè)備