晶振

根據(jù)引線狀況可分為直插（有引線）與表面貼裝（無引線）兩種類型。當前常見的主要封裝型號有HC-49U、HC-49/S、GLASS、UM-1、UM-4、UM-5與SMD。

壓電效應：

對某些電介質(zhì)施加機械力而引起它們內(nèi)部正負電荷中心相對位移，產(chǎn)生極化，從而導致介質(zhì)兩端表面內(nèi)出現(xiàn)符號相反的束縛電荷.在一定應力范圍內(nèi)，機械力與電荷呈線性可逆關(guān)系.這種現(xiàn)象稱為壓電效應.

作用：提供系統(tǒng)振蕩脈沖，穩(wěn)定頻率，選擇頻率.

參數(shù)a. 標稱頻率：在規(guī)定條件下，晶振的諧振中心頻率.

b. 調(diào)整頻差：在規(guī)定條件下，基準溫度時的工作頻率相對標稱頻率的偏離值.(ppm)

c. 溫度頻差：在規(guī)定條件下，在整個工作溫度范圍內(nèi)，相對于基準溫度時工作頻率的允許偏離值.

d. 負載諧振電阻：晶振與外部電容相串聯(lián)，在負載諧振頻率時的電阻值.

e.負載電容： 是指與晶振一起決定負載諧振頻率的有效外界電容.常用標準值有：12pF 、 16pF 、 20pF 、 30pF.

晶振指標

標稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的標稱值。

頻率準確度：振蕩器輸出頻率在室溫（25℃±2℃）下相對于標稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值允許頻率偏差。

負載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負載電容時，負載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。