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IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因

IGBT在使用過程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊，承受過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等，可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有以下情況——過電壓損壞和靜電損壞

IGBT在關(guān)斷時(shí)，由于逆變電路中存在電感成分，關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓，如果尖峰電壓超過IGBT器件的1高峰值電壓，將造成IGBT擊穿損壞。IGBT過電壓損壞可分為集電極-柵極過電壓、柵極-發(fā)射極過電壓、高du/dt過壓電等。光纖重復(fù)使用時(shí)，基于物理損耗和感控原因，在再次使用之前，應(yīng)將其距光纖發(fā)射頭端10CM的地方剪掉棄用，軟鏡需要將完全彎曲部的光纖全部剪掉，保證去掉型變大的部位。大多數(shù)過電壓保護(hù)的電路設(shè)計(jì)都比較完善，但是對于由高du/dt所導(dǎo)致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。由于吸收電路設(shè)計(jì)的吸收容量不夠而造成IGBT損壞，對此可采用電壓鉗位，往往在集電極-柵極兩端并接齊納二極管，采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制，當(dāng)集電極電壓瞬間超過齊納二極管的鉗位電壓時(shí)，超出的電壓將疊加在柵極上（米勒效應(yīng)起作用），避免了IGBT因受集電極發(fā)射極過電壓而損壞。

采用柵極電壓動(dòng)態(tài)控制可以解決過高的du/dt帶來的集電極發(fā)射極瞬間過電壓問題，但是它的弊端是當(dāng)IGBT處于感性負(fù)載運(yùn)行時(shí)，半橋結(jié)構(gòu)中處于關(guān)斷的IGBT，由于其反并聯(lián)二極管（續(xù)流二極管）的恢復(fù)，其集電極-發(fā)射極兩端的電壓急劇上升，從而承受瞬間很高的du/dt。多數(shù)情況下，該du/dt值要比IGBT正常關(guān)斷時(shí)的集電極-發(fā)射極電壓上升率高，由于米勒電容( Cres)的存在，該du/dt值將在集電極和柵極之間產(chǎn)生一個(gè)瞬間電流，流向柵極驅(qū)動(dòng)電路。大多數(shù)過電壓保護(hù)的電路設(shè)計(jì)都比較完善，但是對于由高du/dt所導(dǎo)致的過電壓故障，基本上都是采用無感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。該電流與柵極電路的阻抗相互作用，直接導(dǎo)致柵極-發(fā)射極電壓UGE值的升高，甚至超過IGBT的開通門限電壓UGE(th)值。出現(xiàn)惡劣的情況就是使IGBT被誤觸發(fā)導(dǎo)通，導(dǎo)致變換器的橋臂短路。

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IGBT在使用過程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊，承受過負(fù)荷甚至負(fù)載短路等，可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有以下情況——過熱損壞

過熱損壞一般指使用中IGBT模塊的結(jié)溫正超過晶片的1大溫度限定，目前應(yīng)用的IGBT器件還是以Tjmax=150℃的NPT技術(shù)為主流的，為此在IGBT模塊應(yīng)用中其結(jié)溫應(yīng)限制在該值以下。

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鈥激光保養(yǎng)主要分為以下幾大類

1. 電學(xué)：電壓檢測校準(zhǔn)

2. 光學(xué)：鏡片檢查，激光能量檢測校準(zhǔn)，校準(zhǔn)曲線測試，激光光路準(zhǔn)直性測試和調(diào)整。

3. 冷卻：更換雜質(zhì)、離子過濾芯，更換蒸餾水，檢測漏水，水的電導(dǎo)率。

4. 軟件：檢查錯(cuò)誤日志，清空日志。

PS：光學(xué)鏡片的損壞受溫度、濕度、灰塵因素影響，具有不確定性，只能進(jìn)行預(yù)防性檢測，及早發(fā)現(xiàn)及早更換，避免手術(shù)中發(fā)生故障。