蒸發(fā)鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質(zhì)和不易熱分解的化合物膜。

為沉積高純單晶膜層，可采用分子束外延方法。機(jī)械作業(yè)前查看運(yùn)動(dòng)部分是否加注了潤(rùn)滑油，然后發(fā)動(dòng)并查看離合器、制動(dòng)器是否正常，并將機(jī)床空運(yùn)轉(zhuǎn)1-3分鐘，機(jī)械有毛病時(shí)制止操作。生長(zhǎng)摻雜的GaAlAs單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當(dāng)它被加熱到一定溫度時(shí)，爐中元素以束狀分子流射向基片?；患訜岬揭欢囟?，沉積在基片上的分子可以徙動(dòng)，按基片晶格次序生長(zhǎng)結(jié)晶用分子束外延法可獲得所需化學(xué)計(jì)量比的高純化合物單晶膜，薄膜較慢生長(zhǎng)速度可控制在1單層／秒。通過控制擋板,可精準(zhǔn)地做出所需成分和結(jié)構(gòu)的單晶薄膜。

指環(huán)6的外圈8上設(shè)置有內(nèi)軌9，裝飾件7的底邊上設(shè)置有凸邊10，所述凸邊10卡在內(nèi)軌9上，裝飾件7通過凸邊10與內(nèi)軌9的配合，使裝飾件7在指環(huán)6上沿著內(nèi)軌9活動(dòng)；所述指環(huán)扣上設(shè)置有至少一個(gè)裝飾件7，且裝飾件7為鑲有鉆石或珠片的裝飾件7。（2）結(jié)構(gòu)不對(duì)稱彎曲件，彎曲時(shí)毛坯容易發(fā)生偏移，應(yīng)盡可能采用成對(duì)彎曲后，再切開的工藝方法。使用者可以根據(jù)喜好或使用場(chǎng)合選擇鑲有鉆石或珠片的裝飾件7，而且在使用者使用的時(shí)候，有至少一個(gè)裝飾件7沿著內(nèi)軌9在指環(huán)6內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)，不僅能為指環(huán)扣增加美感，還能指環(huán)扣的趣味性。

所述指環(huán)扣還設(shè)置有上蓋11，所述上蓋11的上表面上設(shè)置有圖案，所述上蓋11的邊緣上設(shè)置有第二凸邊12，所述指環(huán)6的內(nèi)圈13上設(shè)置有第二內(nèi)軌14，所述第二凸邊12卡在第二內(nèi)軌14上，上蓋11通過第二凸邊12與第二內(nèi)軌14的配合，把上蓋11安裝在指環(huán)6上。技術(shù)特點(diǎn)：提高工件的尺寸精度或幾何形狀精度，得到光滑表面或鏡面光澤，同時(shí)也可消除光澤。優(yōu)選的第二凸邊12為階梯型凸邊，在使用的時(shí)候，使用者只需對(duì)指環(huán)6施力使指環(huán)6稍微變形，第二凸邊12便可與指環(huán)6相分離，實(shí)現(xiàn)上蓋11與指環(huán)6可拆卸連接，所述上蓋11不僅可用于遮蓋指環(huán)6的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，還與指環(huán)6可拆卸連接，使用者可以根據(jù)自己的喜好更換上蓋11的圖案。