脈沖激光沉積(PLD)簡(jiǎn)介

隨著新型氧化物/氮化物的研究和發(fā)展，用于沉積它們的外延生長(zhǎng)設(shè)備：脈沖激光沉積(PLD)和由其衍生的生長(zhǎng)技術(shù)也越來(lái)越受到科研工作者的重視和青睞。PLD是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種真空物理沉積工藝，具有襯底溫度較低，而且采用光學(xué)系統(tǒng)、非接觸加熱和避免不必要的玷污等特點(diǎn)。PLD還有一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)，即能夠通入較高的氧分壓(1 ~ 50 mTorr)，特別適于氧化物的生長(zhǎng)。但是PLD方法無(wú)法準(zhǔn)確控制膜厚，不可能制備原子層尺度的超薄型薄膜和超晶格材料。

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脈沖激光沉積 （Pulsed laser deposition, PLD），就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的面積，利用激光的高能量密度將部分靶材料蒸發(fā)甚至電離，使其能夠脫離靶材而向基底運(yùn)動(dòng)，進(jìn)而在基底上沉積，從而形成薄膜的一種方式。 在眾多的薄膜制備方法中，脈沖激光沉積技術(shù)的應(yīng)用較為廣泛，可用來(lái)制備金屬、半導(dǎo)體、氧化物、氮化物、碳化物、硼化物、硅化物、硫化物及氟化物等各種物質(zhì)薄膜，甚至還用來(lái)制備一些難以合成的材料膜，如金剛石、立方氮化物膜等。

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脈沖激光沉積系統(tǒng)特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)：

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