鍍膜設備的鍍膜方式及常會遇到的問題

鍍膜設備就是在高真空狀態(tài)下通過高溫將金屬鋁熔化蒸發(fā)，使鋁的蒸汽沉淀堆積到塑料薄膜表面上，從而使塑料薄膜表面具有金屬光澤的設備。真空鍍膜技術作為一種產(chǎn)生特定膜層的技術，在現(xiàn)實生產(chǎn)生活中有著廣泛的應用。

鍍膜設備的鍍膜方式：離子鍍，蒸發(fā)鍍，濺射鍍

(1)鍍膜設備的特點：成膜速度快0.1-50um/min，設備比較簡單，操作容易;制得薄膜純度高;薄膜生長機理較簡單。

(2)缺點：薄膜附著力較小，結晶不夠完善，工藝重復性不夠好。

鍍膜設備鍍出的產(chǎn)品掉膜是怎么回事?

一。產(chǎn)品表面潔凈度不夠，離子源清洗Ar氣放大時間長點。

二。清洗是否有加了清洗劑，或者更換了清洗劑，建議用純水先試一下。

三。工藝參數(shù)是否有變動在膜厚和電流上可以做點調(diào)整。

真空鍍膜機蒸發(fā)與磁控濺射鍍鋁性能

真空鍍膜機電子束蒸發(fā)與磁控濺射鍍鋁性能分析研究，為了獲得性能良好的半導體電極Al膜，我們通過優(yōu)化工藝參數(shù)，制備了一系列性能優(yōu)越的Al薄膜。通過理論計算和性能測試，分析比較了真空鍍膜設備電子束蒸發(fā)與磁控濺射兩種方法制備Al膜的特點。

嚴格控制發(fā)Al膜的厚度是十分重要的，因為Al膜的厚度將直接影響Al膜的其它性能，從而影響半導體器件的可靠性。對于高反壓功率管來說，它的工作電壓高，電流大，沒有一定厚度的金屬膜會造成成單位面積Al膜上電流密度過高，易燒毀。對于一般的半導體器件，Al層偏薄，則膜的連續(xù)性較差，呈島狀或網(wǎng)狀結構，引起壓焊引線困難，造成不易壓焊或壓焊不牢，從而影響成品率;Al層過厚，引起光刻時圖形看不清，造成腐蝕困難而且易產(chǎn)生邊緣腐蝕和“連條”現(xiàn)象。

采用真空鍍膜機電子束蒸發(fā)，行星機構在沉積薄膜時均勻轉動，各個基片在沉積Al膜時的幾率均等;行星機構的聚焦點在坩堝蒸發(fā)源處，各個基片在一定真空度下沉積速率幾乎相等。采用真空鍍膜機磁控濺射鍍膜方法，由于沉積電流和靶電壓可以控制，也即是濺射功率可以調(diào)節(jié)并控制，因此膜厚的可控性和重復性較好，并且可在較大表面上獲得厚度均勻的膜層。

附著力反映了Al膜與基片之間的相互作用力，也是保證器件經(jīng)久耐用的重要因素。真空鍍膜設備濺射原子能量比蒸發(fā)原子能量高1-2個數(shù)量級。真空鍍膜機高能量的濺射原子沉積在基片上進行的能量轉換比蒸發(fā)原子高得多，產(chǎn)生較高的熱能，部分高能量的濺射原子產(chǎn)生不同程度的注入現(xiàn)象，在基片上形成一層濺射原子與基片原了相互溶合的偽擴散層，而且，在真空鍍膜設備成膜過程中基片始終在等離子區(qū)中被清洗，清除了附著力不強的濺射原子，凈化基片表面，增強了濺射原子與基片的附著力，因而濺射Al膜與基片的附著力較高。

真空鍍膜機的陰極電弧技術

真空鍍膜機的陰極電弧技術是利用真空環(huán)境下的弧光放電，使固體陰極靶材蒸發(fā)、離化并通過等離子體的強化作用，飛向陽極基體表面沉積成膜的技術。正因為如此，陰極電弧技術具有極高的沉積速率。

在含有惰性氣體或反應氣體的真空環(huán)境下沉積在基體表面，具有高能量的離子束對于提高膜基結合力和打亂膜的柱狀晶結構是非常有利的，從而也可大幅度改善膜的組織結構和力學性能。目前，各薄膜設備制造商通過對成膜原理和工藝的研究采用各種不同的措施來減少“液滴”的產(chǎn)生。

其中BAI1200、RCS是采用圓形平面陰極源技術和輻射加熱技術,可進行快速鍍膜生產(chǎn)。利用該工藝制備的TiAlN可增強加工工具切削刃的穩(wěn)定性，并使干切削加工成為可能。