脈沖激光沉積機制

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PLD的系統(tǒng)設備簡單，相反，它的原理卻是非常復雜的物理現象。但在泵浦源持續(xù)不斷的激勵下，激光上能級的原子數越來越多，得到了較大的粒子數反轉。它涉及高能量脈沖輻射沖擊固體靶時，激光與物質之間的所有物理相互作用，亦包括等離子羽狀物的形成，其后已熔化的物質通過等離子羽狀物到達已加熱的基片表面的轉移，及膜的生成過程。所以，PLD一般可以分為以下四個階段：

1. 激光輻射與靶的相互作用

2. 熔化物質的動態(tài)

3. 熔化物質在基片的沉積

4. 薄膜在基片表面的成核（nucleation）與生成。

脈沖激光沉積簡介

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

【設備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設備采用PLD脈沖激光沉積技術，用于制備高溫超導薄膜、半導體膜、鐵電薄膜、硬質薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質結，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機—無機復合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設備優(yōu)點】

設備全程采用一鍵式操作抽氣，關機，程序自動化定時操作。避免了繁瑣的角閥，插板閥人工開啟。

【設備主要組成】

設備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉臺、激光入射轉靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計算機控制轉靶的旋轉、脈沖準分子激光器等組成