MBR1045CT采用俄羅斯米克朗(Mikron)高抗沖擊能力芯片；其高抗沖擊性能尤為顯著，框架材質為100％純銅材料，黑膠部分采用復合材料環(huán)氧塑脂材料一次性澆鑄成型；采用臺灣健鼎的一體化測試設備，減少人工操作環(huán)節(jié).在品質工藝上:二極管制作是使用的健鼎一體化自動生產線設備,全程工藝由電腦控制，模具更為精密完全杜絕毛刺，外觀光滑自然美觀。

UL為美國安規(guī)認證，是世界上安全試驗和鑒定機構整流橋

代表安全檢檢產品運作良率是世界上安全試驗和鑒定機構

激光打標，解決油墨絲印易掉色問題，黑膠材質是采用進口環(huán)氧塑脂材料

我司技術力量雄厚，可協(xié)同用戶研發(fā)、設計新產品，并可提供現(xiàn)場指導。

“誠信”是強元芯屹立于行業(yè)之本，未來，我們仍將恪守“誠信，專業(yè)，務實”的服務理念，不斷完 善創(chuàng)新，努力為客戶和公司同仁共創(chuàng)雙嬴。

編輯：DD

如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調整結構參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

采用這種結構的SBD，擊穿電壓由PN結承受。通過調控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴散深度，使反偏時的擊穿電壓突破了100V這個長期不可逾越的障礙，達到150V和200V。在正向偏置時，高壓SBD的PN結的導通門限電壓為0.6V，而肖特基勢壘的結電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢壘供給。

在N型基片和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，其內阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內阻變大。

　　采用有引線式封裝的肖特基二極管通常作為高頻大電流整流二極管、續(xù)流二極管或保護二極管使用。它有單管式和對管(雙二極管)式兩種封裝形式