在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術(shù)、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。因為導(dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強(qiáng)，因此分離的可能性比較低。反應(yīng)放熱后，氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng)，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應(yīng)繼續(xù)進(jìn)行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產(chǎn)品，是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒，在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，在密閉容器中遇高熱有危險，不溶于水，可溶于苯、等部分溶劑。四氟化碳是當(dāng)前微電子工業(yè)中應(yīng)用量高的等離子體蝕刻氣體，被廣泛應(yīng)用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外，四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領(lǐng)域有著應(yīng)用。由碳與氟反應(yīng)，或與氟反應(yīng)，或碳化硅與氟反應(yīng)，或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng)，都能生成四氟化碳。

隨著芯片制程向7納米邁進(jìn)，細(xì)微雜質(zhì)對芯片的損害更為明顯，電子產(chǎn)業(yè)對高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高，在此背景下，我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳是一種鹵代烴，化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳，也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時，四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定，高純四氟化碳是一種高純電子氣體，在電子產(chǎn)業(yè)中需求量大。

高純四氟化碳主要用于集成電路、半導(dǎo)體的等離子刻蝕領(lǐng)域，可用來蝕刻硅、二氧化硅、氮化硅等硅材料，是用量大的等離子蝕刻氣體。此外，高純四氟化碳還可用于印刷電路板清潔、電子元器件清洗、太陽能電池生產(chǎn)等領(lǐng)域。四氟化碳用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝，也用作激光氣體，用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。四氟化碳用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化后，隨后通過硅膠干燥塔得到產(chǎn)品。