KOAN 壓控晶振對變?nèi)荻O管的容值要求

壓控晶振中用變?nèi)荻O管作為調(diào)頻元件，其性能和使用方法尤為重要，變?nèi)荻O管的中心電容值必須適合，其特性曲線平均斜率必須足夠大，以滿足壓控總頻偏要求，其特性曲線的線性要能滿足要求。

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KOAN 壓控振蕩器的振蕩條件

相位條件：ωL=1/ωcl（ω 晶體頻率， L 晶體有效電感，CL 晶體負(fù)載電容），調(diào)整負(fù)載電容可以調(diào)整頻率高低，實(shí)現(xiàn)頻率精準(zhǔn)度高；KOAN壓控晶振的主要制造工藝流程之晶片切割KOAN晶振中重要的組成部分為水晶振子，晶片的切割可分為AT-CUT，BT-CUT，CT-CUT，DT-CUT，F(xiàn)T-CUT，XT-CUT，YT-CUT，每種切法對應(yīng)一個(gè)角度。振幅條件：│Rˉ│≥R（設(shè)計(jì)電路要考慮負(fù)性阻抗值 Rˉ的相對值，在起動(dòng)時(shí)要比晶體諧振電阻有效值 R 大3-20 倍，正常振蕩時(shí)│Rˉ│=R）。

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壓控振蕩器的性能指標(biāo)介紹

1.中心頻率

是指頻率調(diào)節(jié)范圍的中間值，即振蕩器頻率的較大值和較小值的中間值，中心頻率的大小取決于振蕩器的結(jié)構(gòu)和元器件參數(shù)，而且還隨著工藝和溫度相應(yīng)改變;隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展和產(chǎn)品性能的調(diào)高，現(xiàn)如今CMOS壓控振蕩器的中心頻率能夠達(dá)到10GHz。

2.調(diào)諧范圍

是指調(diào)節(jié)輸出頻率的變化范圍，即振蕩器的較大調(diào)諧頻率和較小調(diào)諧頻率的差值壓控振蕩器要有足夠大的調(diào)諧范圍才能滿足輸出頻率達(dá)到所需要的值。

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