電池片的檢驗

電池片的檢驗

一十三、印刷圖型 

主柵線： 

A級：主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，不容許有斷開，缺少、歪曲及其突顯。 

B級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

新的規(guī)范：主柵大小勻稱，容許有斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況（燒糊、變黃） 

C級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況 

新的規(guī)范：主柵線：斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm， 

副柵線： 

A級：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的5%.

新的規(guī)范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開，斷掉總數≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點；不容許有掉色狀況。 

B級：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的10%. 

電池片的制作工藝

振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：高價回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，El，不良測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，債務償還，返工，光伏模塊回收等。

影響因素

1. 溫度

溫度過高，首先就是 IPA不好控制，溫度一高， IPA 的揮發(fā)很快，氣泡印就會隨之出現，這樣就大大減少了 PN 結的有效面積，反應加劇 , 還會出現片子的漂浮，造成碎片率的增加。

可控程度：調節(jié)機器的設置，可以很好的調節(jié)溫度。

2. 時間

金字塔隨時間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數開始成長；金字塔密布的絨面已經形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降。可控程度：調節(jié)設備參數，可以調節(jié)時間。

3.IPA

1. 協(xié)助氫氣的釋放。 2. 減弱 NaOH 溶液對硅片的腐蝕力度，調節(jié)各向因子。純 NaOH 溶液在高溫下對原子排列比較稀疏的 100 晶面和比較致密的 111 晶面破壞比較大，各個晶面被腐蝕而消融， IPA 明顯減弱 NaOH 的腐蝕強度，增加了腐蝕的各向異性，有利于金字塔的成形。乙醇含量過高，堿溶液對硅溶液腐蝕能力變得很弱，各向異性因子又趨于 1 。

可控程度：根據配液的含量，及每次大約消耗的量，來補充一定量的液體，控制精度不高。

4.NaOH

形成金字塔絨面。 NaOH濃度越高，金字塔體積越小，反應初期，金字塔成核密度近似不受 NaOH 濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨 NaOH 濃度變化比較顯著，濃度高的 NaOH 溶液與硅反映的速度加快，再反應一段時間后，金字塔體積更大。 NaOH 濃度超過一定界限時，各向異性因子變小，絨面會越來越差，類似于拋光?？煽爻潭龋号c IPA 類似，控制精度不高。

單晶硅片

振鑫焱光伏科技有限責任公司長期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽電池，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，El，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發(fā)電廠，拆裝，人造板，層壓板，無界限結晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負債還款，返修，太陽能發(fā)電控制模塊收購等。 

單晶硅片 

當今開發(fā)設計得更快的這種太陽電池，它的組成和生產工藝流程已定形，商品已普遍用以宇宙空間和路面設備。這類太陽電池以高純度的單晶硅棒為原材料，純凈度規(guī)定99.999%。以便降低成本成本費，如今路面運用的太陽電池等選用太陽能發(fā)電級的單晶硅棒，原材料性能參數有一定的放開。有的也可應用集成電路工藝生產加工的頭尾料和廢次單晶硅原材料，歷經復拉做成太陽電池專用型的單晶硅棒。將單晶硅棒切一片，通常片厚約0.3mm。硅片歷經成型、研磨拋光、清理等工藝流程，做成待生產加工的原材料硅片。生產加工太陽電池片，先要在硅片上夾雜和外擴散，通常夾雜物為微量分析的硼、磷、銻等。外擴散是在石英管做成的高溫擴散爐中開展。那樣就在硅片上產生P/FONT>N 結。然后采用絲網印刷法，將配好的銀漿印在硅片上做成柵線，經過燒結，同時制成背電極，并在有柵線的面涂覆減反射源，以防大量的光子被光滑的硅片表面反射掉，至此，單晶硅太陽電池的單體片就制成了。單體片經過抽查檢驗，即可按所需要的規(guī)格組裝成太陽電池組件（太陽電池板），用串聯(lián)和并聯(lián)的方法構成一定的輸出電壓和電流，后用框架和封裝材料進行封裝。用戶根據系統(tǒng)設計，可將太陽電池組件組成各種大小不同的太陽電池方陣，亦稱太陽電池陣列。目前單晶硅太陽電池的光電轉換效率為 15% 左右，實驗室成果也有 20% 以上的。用于宇宙空間站的還有高達 50% 以上的太陽能電池板。