（2）主要技術(shù)參數(shù) 1）基本參數(shù) 功率源： 5000V 1200A 2）柵極-發(fā)射極漏電流IGES IGES： 0.1-10uA±2%±0.01uA 集電極電壓VCE： 0V 柵極電壓Vge： 0-40V±3%±0.1V 3）集電極-發(fā)射極電壓 集電極電壓VCES： 100-5000V±2%±10V 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0.2-5V 柵極電壓Vge： ±15V±2%±0.2V 集電極電流ICE： 10-1200A±2%±1A 5）集電極-發(fā)射極截止電流ICES 集電極電壓VCE： 100-5000V±3% 集電極電流ICES： 0.1-5mA±3%±0.01mA 柵極電壓VGE： 0V 6）柵極-發(fā)射極閾值電壓 VGEth： 1-10V±2%±0.1V Vce： 12V 集電極電流ICE： 30mA±3% 7）二極管壓降測試 VF： 0-5V±2%±0.01V IF： 0-1200A±2%±1A Vge： 0V

（3）設(shè)備的功能特點(diǎn) 1）各種數(shù)據(jù)以圖形方式在檢測時(shí)實(shí)時(shí)顯示與記錄。數(shù)據(jù)采集后，后臺軟件自動及時(shí)繪出相應(yīng)圖表，以方便現(xiàn)場判斷使用。 2）具有大容量的數(shù)據(jù)采集能力?，F(xiàn)今PowerMOSFET(金屬氧化物場效晶體管)及IGBT（絕緣柵型場效應(yīng)晶體管）已成為大功率元件的主流，在市場上居于主導(dǎo)地位。測試數(shù)據(jù)直接進(jìn)入控制電腦，這樣使得采集數(shù)據(jù)的容量為無限大。 3）具有內(nèi)置的軟件，幫助提供自動判斷。 4）具有方便的歷史數(shù)據(jù)存儲及檢索功能。

半導(dǎo)體元件除了本身功能要良好之外，其各項(xiàng)參數(shù)能否達(dá)到電路上的要求，必須定期測量，否則產(chǎn)品的質(zhì)量特性很難保證，尤其是較大的功率元件，因具有耗損性，易老化及效率降低，因不平衡導(dǎo)致燒毀，甚至在使用中會發(fā)生。所以對新產(chǎn)品及使用中的元件參數(shù)的篩選及檢查更為重要。01mA 柵極電壓Vge： 0V 4）集電極-發(fā)射極飽和電壓VCESat VCESat：0。 半導(dǎo)體元件的每一個(gè)參數(shù)，依其極性的不同，都須要一個(gè)獨(dú)特的測量電路，我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動測試系統(tǒng)，具有一組繼電器形成的矩陣電路，依每個(gè)參數(shù)的定義，形成千變?nèi)f化的電路，再依元件的出廠規(guī)格加上額定的電流或電壓后，在極短的時(shí)間內(nèi)將所須要的數(shù)據(jù)量測出來，且有些參數(shù)從量測的數(shù)據(jù)經(jīng)快速運(yùn)算即可得知其特性是否在規(guī)定范圍內(nèi)。

1）可調(diào)充電電壓源

用來給電容器充電，實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動態(tài)測試、短路電流的測試需求。

?輸入電壓 380V±10%

?頻率 50HZ；

?輸出電壓 500～1500V可調(diào)（可多個(gè)電源組成）

?輸出電流 10A；

?電壓控制精度 1%

?電壓調(diào)整率 <0.1%；

?紋波電壓 <1%；

?工作溫度 室溫～40℃；

?保護(hù) 有過壓、過流、短路保護(hù)功能。