NR94 8000PY光刻膠公司廠家直供

發(fā)布時間：2020-12-02 02:07

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光刻膠介紹

光刻膠自1959年被發(fā)明以來一直是半導(dǎo)體核心材料，隨后被改進(jìn)運用到PCB板的制造，并于20世紀(jì)90年代運用到平板顯示的加工制造。終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費電子、家用電器、汽車通訊等。

光刻工藝約占整個芯片制造成本的35%，耗時占整個芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。

以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對應(yīng)的幾何圖形。

光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。四、對準(zhǔn)（Alignment）光刻對準(zhǔn)技術(shù)是曝光前一個重要步驟作為光刻的三大核心技術(shù)之一，一般要求對準(zhǔn)精度為最細(xì)線寬尺寸的1/7---1/10。為了滿足集成電路對密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長以極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級別，光刻膠的波長由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及達(dá)到EUV(<13.5nm)線水平。

目前，半導(dǎo)體市場上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠，其中，g線和i線光刻膠是市場上使用量較大的。KrF和ArF光刻膠核心技術(shù)基本被日本和美國企業(yè)所壟斷。

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正性光刻膠的金屬剝離技術(shù)

正性膠的金屬剝離工藝對于獲得難腐蝕金屬的細(xì)微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對金屬剝離工藝中的正、負(fù)光刻膠的性能作了對比分析。發(fā)展Futurrex在開發(fā)產(chǎn)品方面已經(jīng)有很長的歷史我們的客戶一直在同我們共同合作，創(chuàng)造出了很多強勢的專利產(chǎn)品。認(rèn)為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應(yīng)于微細(xì)圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直，去膠容易等獨特性能，比負(fù)性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點指出了工藝中的關(guān)鍵點及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對片子表面的清潔處理更為嚴(yán)格。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對曝光時同特別是顯影液溫度提出了嚴(yán)格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。

NR77-5000PY

PR1-2000A1 試驗操作流程

PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm，如下以膜厚2900nm為列；

1,靜態(tài)滴膠后以1300轉(zhuǎn)/分速度持續(xù)40秒。同時必須需要在1秒內(nèi)達(dá)到從0轉(zhuǎn)/分到1300轉(zhuǎn)/分的升速度；

2，前烘：熱板120度120秒；

3，冷卻至室溫；

4，用波長為365,406,436的波長曝光，

5，在溫度為20-25度，使用RD6浸泡式、噴霧、顯影；

6，去除光刻膠，可使用CH3COCH3，RR5,RR41等。

NR9-250P

20．有沒有光刻膠PC3-6000的資料嗎？

A PC3-6000并不是光刻膠，它是用在chip