KOAN 壓控晶振如何提高壓控靈敏度

Lq/C0 越小，或者 L1/C1 越大時靈敏度越高，但高 Q 值 Lq/C0 總是很大，因此，應(yīng)選擇合適的參數(shù)（增大晶片和電極尺寸靜態(tài)電容 C0 即增大）和選配一個恰當(dāng)?shù)臄U展頻偏網(wǎng)絡(luò)。

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KOAN 壓控晶振相位噪聲的形成因素主要三方面

A.近端相噪主要是晶體 Q 值來決定。高頻晶體有很高的近載波相位噪聲（Close-inPhase Noise）, 因為他們有低的 Q 值和更寬的邊帶；

B 中端相噪主要是晶體外圍電路(包括 IC)來決定；

C 遠(yuǎn)端相噪主要是信號輸出(白噪聲)來決定。

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KOAN 壓控晶振的高低電平，脈沖寬度，占空比概述

電源電壓 Vdd /-10%，1：Vdd90%min，0：Vdd10%max，閥值電平 Vdd50%，不定電平 Vdd10%-Vdd90%，高電平噪聲容限 Vdd90%-Vdd50%，低電平容限Vdd10%-Vdd50%，脈沖寬度上升沿 Vdd50%-下降沿 50%，占空比：脈沖寬度 t與脈沖周期 T 的比值。

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