電池片各工序影響因素及異常情況

電池片各工藝流程危害要素及異?，F(xiàn)象 

4.NaOH產(chǎn)生金字塔式絨面。NaOH濃度值越高，金字塔式容積越小，反映前期，金字塔式成核相對密度類似沒受NaOH濃度值危害，堿水溶液的腐蝕隨NaOH濃度值轉(zhuǎn)變比較顯著，濃度值高的NaOH水溶液與硅體現(xiàn)的速率加速，再反映過段時間后，金字塔式容積更大。NaOH濃度值超出必須界線時，各向異性系數(shù)縮小，絨面會愈來愈差，類似打磨拋光。可控性水平：與IPA相近，線性度不高。 

5.Na2SiO3SI和NaOH反映生產(chǎn)制造的Na2SiO3和添加的Na2SiO3能具有緩沖劑的功效，使反映不會很強(qiáng)烈,變的輕緩。Na2SiO3使反映擁有大量的起始點(diǎn)，生長發(fā)育出的金字塔式更勻稱，更小一點(diǎn)兒Na2SiO3多的那時候要立即的排出去，Na2SiO3傳熱性差，會危害反映,水溶液的黏稠度也提升，非常容易產(chǎn)生水流、花藍(lán)印和表層黑斑?？煽匦运剑簺]辦法操縱。4酸洗鈍化HCL除去硅片表層的金屬材料殘渣硫酸具備酸和絡(luò)合劑的雙向功效，硫酸鹽能與多種多樣金屬材料正離子產(chǎn)生可溶解與水的絡(luò)合物。6酸洗鈍化HF除去硅片表層空氣氧化層，SiO26HF=H2[siF6]2H2O。 

基準(zhǔn)點(diǎn)1．減薄量界定：硅片制絨前后左右的前后左右凈重差。操縱范疇多晶硅125，硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.5±0.2g；硅片薄厚在200±25μm左右，減薄量在0.4±0.2g。多晶硅156，首籃減薄量在0.7±0.2g；之后減薄量在0.6±0.2g。2．絨面分辨規(guī)范：成核相對密度高，尺寸適度，勻稱。

操縱范疇：多晶硅：金字塔式規(guī)格3~10um。3．外型無豁口，黑斑，裂痕，激光切割線，刮痕，凹痕，有沒有白斑病，贓污。

晶體硅電池片

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晶體硅電池片檢驗方法：

2 ） 外觀目測：

a. 與表面成 35 °角日常光照情況下觀察表面顏色，目視顏色均勻 一致 ，無明顯色差花斑、水痕、手印、劃痕及污垢。

b. 隱裂：電池片有隱裂、 肉眼可見的裂紋， 均視為不合格

c. 背面鋁背電極完整，表面平整 、 邊界清晰 、 無明顯凸起的“鋁珠 ， 脫落 3mm 2   / 個 ≤ 5mm 2 、鼓泡累計面積≤5mm

2  ,  背面鋁膜與基體材料的附著強(qiáng)度?   背膜燒結(jié)：用層壓機(jī) 130 — 145 度，超過 10 分鐘。冷卻到室溫后，用刀片隔開 1cm 的寬度，用大于 50N 的拉力，鉛膜不隨 EVA 脫落，則認(rèn)為合格。

d. 受光面柵線：主柵線均勻完整，柵線印刷清晰、對稱；主柵線與細(xì)柵線處允許≤ 1mm ；細(xì)柵線允許≤ 2mm 的脫落；柵線印刷偏離，明顯兩次印刷的返工片視為不合格；斷點(diǎn)的總數(shù)≤ 60mm。

e. 崩邊：每一邊不超過兩處崩邊，崩邊間距≥ 30mm 、深度≤ 0.5 片子厚度、面積≤ mm 2

f . 電池邊緣缺角面積不超過 1mm 2 ，數(shù)量不超過 2 個。缺角：一邊有一處崩邊，面積≤5mm 2 ，一邊由兩處崩邊、面積≤3mm 2

g. 電池的崩邊、鈍形缺口等外形缺損的尺寸要求：長度不大于 1.5mm ，由邊緣向中心的深度不大于 0.5mm ，同一片電池上正面出現(xiàn)此類外形缺損數(shù)量不超過兩處。同時不允許電池上 V 形缺口。

電池片生產(chǎn)工藝流程

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