聚合物鋁電解電容單層鋁電解電容

聚合物電容是采用高電導率的聚合物材料作為陰極的片式疊層鋁電解電容器，具有超越現(xiàn)有液體片式鋁電解電容器和固體片式鉭電解電容器的電性能。聚合物電容在額定電壓范圍內，無需使用。

具有極低的等效串聯(lián)電阻(ESR)，降低紋波電壓能力強，允許通過更大紋波電流。聚合物片式疊層鋁電解電容器在高頻下，阻抗曲線呈現(xiàn)近似理想電容器特性。在頻率變化情況下，電容量非常穩(wěn)定。此類電容器主要應用于主板（筆記本電腦、平板顯示器、數(shù)字交換機 ）旁路去耦/儲能濾波電容、開關電源、DC/DC變換器、高頻噪聲抑制電路及便攜式電子設備等。

高頻鋁電解電容單層鋁電解電容

　國際上片式元器件已成為成熟產(chǎn)業(yè)，片式電容器的市場容量目前正處在快速增長階段。伴隨著電子設備的小型化，尤其是電腦手機的小型化，片式鋁電解電容器的市場需求量與日俱增，據(jù)有關研究資料預測，未來10-15年將是片式電解電容器快速發(fā)展時期，需求量以年均20%左右的速度增長。

　國內片式電解電容器的發(fā)展還處在起步階段，但用量已達15億只以上，絕大多數(shù)需要通過從國外進口。預計2-3年后，國內V-CHIP的需求量約為30-50億只。因此，生產(chǎn)片式鋁電解電容器具有極其廣闊的發(fā)展前景。

　鋁電解電容的容值是有陽極箔來決定的，陽極箔的比容和面積是控制電解電容容值大小的兩 項重要參數(shù)，陽極箔是用純鋁的光箔經(jīng)過腐蝕化成而來，腐蝕過程中化學物質不斷的在純鋁 光箔上形成大大小小的孔洞，因不能控制每個孔洞大小深度的一致，所以陽極箔的每個地方 容量都有細微的差距，可能有的地方容量大一點有的地方容量小一點。

鋁電解電容在生產(chǎn)過程中只能按照實測比容點來設計，那么生產(chǎn)出來的鋁電解電容之間 實際容量就會有大有小，所以一般鋁電解電容都是默認±20%的公差，例如：400V470uf的鋁 電解電容實測容量在376uf-564uf之間，不過一般都是負公差。