廣州綠緣環(huán)境技術(shù)有限公司——抽屜式活性炭吸附箱廠家

活性炭脫附后氣流中有機物的濃度應(yīng)嚴(yán)格控制在其爆i炸極限下限的25%以下。對于活性炭吸附劑，脫附氣流溫度應(yīng)控制在＜120℃范圍之內(nèi)；在吸附操作周期內(nèi)，吸附廢氣后吸附床內(nèi)的溫度應(yīng)< 50℃；當(dāng)吸附裝置內(nèi)溫度超過70℃時，應(yīng)自動報警，并立即啟動降溫措施。消防及安全疏散設(shè)計應(yīng)按照GB50140及GB50016的規(guī)定要求進行設(shè)計。移動脫附設(shè)備設(shè)置在距離安全區(qū)30米之外。同時設(shè)備安全性能應(yīng)滿足相關(guān)國家、地方及行業(yè)安全技術(shù)規(guī)范。

工業(yè)用活性炭吸附裝置，活性炭常用于氣體的吸附、分離和提純、溶劑的回收、糖液、油脂、甘油、藥i物的脫色劑，飲用水或冰箱的除臭劑，防毒面具的濾毒劑，還可用作催化劑或金屬鹽催化劑的截體。

活性炭是一種黑色粉狀、粒狀或丸狀的無定形具有多孔的炭。主要成份為炭，還含有少量氧 、氫、硫、氮、氯。也具有石墨那樣的精細結(jié)構(gòu)，只是晶粒較小，層層不規(guī)則堆積。具有較大的表面積（500～1000㎡/克）。有很強的吸附能力，能在它 的表面上吸附氣體，液體或膠態(tài)固體。對于氣、液的吸附可接近于活性炭本身的質(zhì)量的。

活性炭吸附裝置工藝優(yōu)勢

1、高i效除惡臭：能高i效去除揮發(fā)性有機物（VOC）、無機物、硫i化氫、氨氣、硫醇類等主要污染物，以及各種惡臭味，脫臭效率可達90%以上；

2、無需添加任何物質(zhì)：只需要設(shè)置相應(yīng)的排風(fēng)管道和排風(fēng)動力，使惡臭氣體通過本設(shè)備進行脫臭吸附凈化，無需添加任何物質(zhì)參與化學(xué)反應(yīng)。

3、適應(yīng)性強：可適應(yīng)高濃度、大氣量不同惡臭氣體物質(zhì)的脫臭凈化處理，可每天?24?小時連續(xù)工作，運行穩(wěn)定可靠。

4、運行成本低：本設(shè)備無任何機械動作，無噪音，無需專人管理和日常維護。5、無需預(yù)處理：惡臭氣體無需進行特殊的預(yù)處理，如加溫 、加濕等，設(shè)備工作環(huán)境溫度在-20℃～100℃ 之間，PH 在 3～11 之間，濕度 30%－50%之間均可正常工作。

6、優(yōu)o質(zhì)材料制造：防火、防腐蝕性能高，i性能穩(wěn)定，使用壽命長?；钚蕴砍粝到y(tǒng)主要設(shè)備的使用壽命在 30 年以上。系統(tǒng)兩次大修期間隔時間為≥4 年。除臭風(fēng)機軸承，保證連續(xù)運行 2 年以上，其他保證連續(xù)運行一年以上，主要零部件保證連續(xù)運行 4 年以上。（易損件除外）

7 、環(huán)保產(chǎn)品：采用先進技術(shù)理念，通過專家及我公司專業(yè)技術(shù)人員長期反復(fù)的試驗，可徹底分解惡臭氣體中有毒有害物質(zhì)，并能達到無害化排放。

（ 注：活性炭吸附裝置中需定期更換活性炭 或進行活性炭再生 ，以保證活性炭活性足夠達。 到去除效果。 ）

8 、適用范圍

噴涂、電線電纜行業(yè)、食品加工、印刷電路板、半導(dǎo)體制造、化工、電子、橡膠廠、造紙、生活垃圾、制藥廠等行業(yè)均可選用。

綠緣的活性炭的不同之處，采用蜂窩形的，實用性和吸附效果比普通的好

吸附方式主要有兩種：顆粒狀 GAC活性炭和 ACF活性炭纖維

本實用新型活性炭吸附過程中采用顆粒狀活性炭，為保證炭層具有合適的孔隙率，減少氣體通過的阻力，應(yīng)事先除去進氣中的固體顆粒和液滴，有機廢氣進入活性炭吸附床時，需先去除顆粒和液滴，一般情況下，需確保活性炭進口廢氣中的顆粒粉塵濃度，吸附劑吸附后，其吸附能力逐漸下降，為保證吸附效率，需定期更換失去吸附能力的吸附劑。

為了方便更換顆粒狀活性炭，設(shè)計了抽屜式活性炭箱：

對濃度較高的 VOC我們一般采用活性炭纖維 ACF進行處理，并將其作為其他廢氣處理工藝的預(yù)處理工序。

像活性炭吸附箱這樣的工業(yè)尾氣處理設(shè)備，就是依靠活性炭具有較大的比表面積、高的吸附性，從而吸附凈化有機尾氣的。在吸附有機廢氣達到飽和狀態(tài)后，活性炭失去吸附功能，若不進行脫附使活性炭恢復(fù)活性，則吸附有機廢氣后的活性炭成為一堆廢料，處理起來也十分費力。

吸附性是指當(dāng)流體(氣體或液體)與固體多孔物質(zhì)接觸時，流體中的一種或多種成分被轉(zhuǎn)移到多孔物質(zhì)表面，并在其中富集的微孔內(nèi)表面上形成單分子層或多分子層。