達(dá)因特等離子表面處理設(shè)備進(jìn)行各種材料表面處理,處理速度和處理寬度 是多少,等離子表面處理設(shè)備噴嘴的處理寬度為約30-12 毫米,較之于活化工藝,清洗速度可達(dá)每秒幾毫米.

　　在常壓等離子體技術(shù)中，氣體在常壓下借助高電壓被激發(fā)，并點(diǎn)燃等離子體。借助壓縮空氣從噴嘴中將等離子體噴出。共分為兩種等離子效應(yīng)：等離子表面處理設(shè)備是通過(guò)等離子射流中所含的活性粒子進(jìn)行活化和精密清洗。此外，借助經(jīng)壓縮空氣加速的活性射流可以去除表面散落的、附著性顆粒。改變諸如處理速度和至基材表面的距離之類(lèi)的工藝參數(shù)，會(huì)對(duì)處理結(jié)果造成不同程度的影響。

   在等離子體作用下,難粘塑料表面出現(xiàn)部分活性原子、自由基和不飽和鍵,這些活性基團(tuán)與等離子體中的活性粒子接觸會(huì)反應(yīng)生成新的活性基團(tuán)。但是,帶有活性基團(tuán)的材料會(huì)受到氧的作用或分子鏈段運(yùn)動(dòng)的影響,使表面活性基團(tuán)消失,因此經(jīng)等離子體處理的材料表面活性具有一定的時(shí)效性。

　　表面聚合

　　在使用等離子體活性氣體時(shí),會(huì)在材料表面聚合產(chǎn)生一層沉積層,沉積層的存在有利于提高材料表面的粘接能力。在低溫等離子體對(duì)難粘塑料進(jìn)行處理時(shí),以上四種作用形式會(huì)同時(shí)出現(xiàn)。因此,可以根據(jù)低溫等離子體所使用的氣體,將其分為反應(yīng)型低溫等離子體和非反應(yīng)型低溫等離子。

　　表面刻蝕

　　在等離子體的作用下,材料表面的一些化學(xué)鍵發(fā)生斷裂,形成小分子產(chǎn)物或被氧化成CO、CO:等,這些產(chǎn)物被抽氣過(guò)程抽走,使材料表面變得凹凸不平,粗糙度增加。

　　表面接枝

　　在等離子體對(duì)材料表面改性中,由于等離子體中活性粒子對(duì)表面分子的作用,使表面分子鏈斷裂產(chǎn)生新的自由基、雙鍵等活性基團(tuán),隨之發(fā)生表面交聯(lián)、接枝等反應(yīng)。

等離子體系統(tǒng)是典型的后端封裝步驟之前的晶圓加工以及晶圓扇出，晶圓級(jí)封裝，3D封裝，倒裝芯片和傳統(tǒng)封裝的理想選擇。腔室設(shè)計(jì)和控制架構(gòu)可實(shí)現(xiàn)短時(shí)間的等離子體循環(huán)時(shí)間，同時(shí)具有非常低的開(kāi)銷(xiāo)，確保您的應(yīng)用的吞吐量化，并將所有權(quán)成本降至。等離子清洗機(jī)支持從75mm到300mm的圓形或方形晶片/基板尺寸的自動(dòng)化處理和處理。此外，根據(jù)晶片厚度，有或沒(méi)有載體的薄晶片處理是可能的。等離子體室設(shè)計(jì)提供的蝕刻均勻性和工藝重復(fù)性。初級(jí)等離子體應(yīng)用包括各種蝕刻，灰化和除塵步驟。其他等離子體工藝包括污染去除，表面粗糙化，增加的潤(rùn)濕性，以及增強(qiáng)粘結(jié)和粘附強(qiáng)度，光致抗蝕劑/聚合物剝離，電介質(zhì)蝕刻，晶片凸起，有機(jī)污染物去除和晶片脫模。晶圓清洗 - 等離子體系統(tǒng)在晶圓碰撞前清除污染物，清除有機(jī)污染物，除去氟和其他鹵素污染物，并除去金屬和金屬氧化物。等離子體還改善了旋涂膜的附著力并清洗了金屬接合墊。

 PCB的等離子體系統(tǒng)除硅片，用于再分布，剝離/蝕刻光刻膠的圖形電介質(zhì)層，增強(qiáng)晶片應(yīng)用材料的附著力，去除多余的晶片施加的模具/環(huán)氧樹(shù)脂，增強(qiáng)金焊料凸塊的粘附力，使晶片降低破損，提高旋涂膜附著力和清潔鋁鍵合墊。