晶振的負(fù)載電容

晶振有一個(gè)重要的參數(shù)，那就是負(fù)載電容值，選擇與負(fù)載電容值相等的并聯(lián)電容，就可以得到晶振標(biāo)稱(chēng)的諧振頻率。

一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器（注意是放大器不是反相器）的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地，這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請(qǐng)注意一般IC的引腳都有等效輸入電容，這個(gè)不能忽略。

一般的晶振的負(fù)載電容為15p或12.5p ，如果再考慮元件引腳的等效輸入電容，則兩個(gè)22p的電容構(gòu)成晶振的振蕩電路就是比較好的選擇。負(fù)載電容 等效輸入電容=22pF。

壓控晶體振蕩器

用外加電壓對(duì)晶振的頻率進(jìn)行控制，這就是壓控晶振，壓控晶振廣泛用于晶振頻率的電校準(zhǔn)，鎖相晶振，模擬和數(shù)字溫補(bǔ)晶振，頻率調(diào)制和頻率捷變技術(shù)中。壓控頻偏，壓控線(xiàn)性和頻率穩(wěn)定度是壓控晶振的3個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)，對(duì)晶振頻率進(jìn)行壓控總是以犧牲晶振的頻率穩(wěn)定度為代價(jià)的，若非必要，切不可對(duì)晶振的壓控頻偏提出過(guò)分要求。

溫補(bǔ)晶振介紹

溫補(bǔ)晶振輸出方式分：削峰正弦波輸出（ /-1ppm@-40℃-- 85℃），CMOS 方波輸出（ /-1ppm@-40℃-- 85℃），LVDS 差分方波輸出（ /-1ppm@-40℃-- 85℃）（0.8p 低抖動(dòng)）。另外溫補(bǔ)晶振 32.768KHz 低功耗可達(dá)（0.79μA@1.8V，1.05μA@2.5V，1.25μA@3.0V，1.37μA@3.3V，2.05μA@5V）。

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晶體振蕩器作用

每個(gè)單片機(jī)系統(tǒng)都有晶體振蕩器，整個(gè)過(guò)程稱(chēng)為晶體振蕩器。晶體振蕩器在單片機(jī)系統(tǒng)中起著非常重要的作用。它結(jié)合單片機(jī)內(nèi)部的電路，產(chǎn)生單片機(jī)所需的時(shí)鐘頻率。單片機(jī)所有指令的執(zhí)行都基于此。晶體振蕩器提供的時(shí)鐘頻率基于此。速率越高，微控制器的運(yùn)行速度就越快。