成套裝置

     近20年來(lái)，國(guó)產(chǎn)并聯(lián)電容器裝置有了很大的發(fā)展。主要有以下特點(diǎn)：

     ①電壓等級(jí)高，整組容量大，單臺(tái)一般為334-800kvar，電壓為6-500kV，整組1-400Mvar。

     ②主斷路器為真空、SF6開(kāi)關(guān)油。過(guò)電壓保護(hù)采用用避雷器，電容器組的保護(hù)方式較多，并趨于完善。

     ③設(shè)有的放電裝置，通常用電容器內(nèi)放電電阻電容器放電線(xiàn)圈，放電線(xiàn)圈具有保護(hù)用二次線(xiàn)圈

     ④裝置的內(nèi)部故障保護(hù)采用外熔斷器或內(nèi)熔絲、繼電器保護(hù)等。

與國(guó)外產(chǎn)品的技術(shù)差距

     我國(guó)電容器制造技術(shù)與跨國(guó)公司相比，總體差距仍然較大，國(guó)產(chǎn)電容器在體積、質(zhì)量、耗材等經(jīng)濟(jì)指標(biāo)上還有較大差距。性能有待提高，無(wú)功補(bǔ)償裝置的配套設(shè)備也急待開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品(如選相分合開(kāi)關(guān))和提高產(chǎn)品質(zhì)量(如開(kāi)關(guān)的重燃、串聯(lián)電抗器的絕緣問(wèn)題)。（5）在設(shè)計(jì)電容器的安裝時(shí)，必須確認(rèn)下述內(nèi)容：a）電容器正、負(fù)極間距必須與線(xiàn)路板孔距相吻合。尤其在技術(shù)含量較高的高電壓等級(jí)產(chǎn)品上，國(guó)內(nèi)目前僅有少數(shù)企業(yè)能夠生產(chǎn)，因此技術(shù)水平將成為評(píng)判國(guó)內(nèi)企業(yè)發(fā)展前景的的指標(biāo)之一。

　電容器在運(yùn)行中的故障處理

(1)當(dāng)電容器噴油、爆1炸著火時(shí)，應(yīng)立即斷開(kāi)電源，并用砂子或干式滅火器滅火。此類(lèi)事故多是由于系統(tǒng)內(nèi)、外過(guò)電壓，電容器內(nèi)部嚴(yán)重故障所引起的。（1）調(diào)諧電路電容器和電感器一起應(yīng)用在調(diào)諧電路中以選擇特定頻帶的信息。為了防止此類(lèi)事故發(fā)生，要求單臺(tái)熔斷器熔絲規(guī)格必須匹配，熔斷器熔絲熔斷后要認(rèn)真查找原因，電容器組不得使用重合閘，跳閘后不得強(qiáng)送電，以免造成更大損壞的事故。

(2)電容器的斷路器跳閘，而分路熔斷器熔絲未熔斷。應(yīng)對(duì)電容器放電3min后，再檢查斷路器、電流互感器、電力電纜及電容器外部等情況。b）雙面印刷板上安裝電容器時(shí)，電容器的安裝位置避免多余的基板孔和過(guò)孔。若未發(fā)現(xiàn)異常，則可能是由于外部故障或母線(xiàn)電壓波動(dòng)所致，并經(jīng)檢查正常后，可以試投，否則應(yīng)進(jìn)一步對(duì)保護(hù)做全1面的通電試驗(yàn)。通過(guò)以上的檢查、試驗(yàn)，若仍找不出原因，則應(yīng)拆開(kāi)電容器組，并逐臺(tái)進(jìn)行檢查試驗(yàn)。但在未查明原因之前，不得試投運(yùn)。

(3)當(dāng)電容器的熔斷器熔絲熔斷時(shí)，應(yīng)向值班調(diào)度員匯報(bào)，待取得同意后，再斷開(kāi)電容器的斷路器。在切斷電源并對(duì)電容器放電后，先進(jìn)行外部檢查，如套管的外部有無(wú)閃絡(luò)痕跡、外殼是否變形、漏油及接地裝置有無(wú)短路等，然后用絕緣搖表?yè)u測(cè)極間及極對(duì)地的絕緣電阻值。盡管開(kāi)關(guān)頻率有所不同，但是開(kāi)關(guān)電源的輸出整流濾波電容器的作用基本相同，主要是通過(guò)利用濾波電容器吸收開(kāi)關(guān)頻率及其高次諧波頻率的電流分量而濾除其紋波電壓分量。如未發(fā)現(xiàn)故障跡象，可換好熔斷器熔絲后繼續(xù)投入運(yùn)行。如經(jīng)送電后熔斷器的熔絲仍熔斷，則應(yīng)退出故障電容器，并恢復(fù)對(duì)其余部分的送電運(yùn)行。

就平板電視來(lái)說(shuō)，為了能承受大電流，就需要進(jìn)一步降低電容的ESR。其原因是，在數(shù)字 設(shè)備中，隨著功能的增加，電路的電流有越來(lái)越大的趨勢(shì)。

對(duì)于在液晶電視中進(jìn)行MPEG編解1碼工作的圖像處理電路來(lái)說(shuō)，2006年一塊芯片中電源電路的電流約為3A。據(jù)調(diào)查，為了應(yīng)對(duì)全H D (全高清)等要求而增大電路的規(guī)模以后，芯片中的電流將增加到8A~9A左右。  

如果ESR小，則在有大電流流動(dòng)時(shí)，電容輸出電壓的下降量也小。伴隨著電流增大而來(lái)的降低ESR的要求，有可能成為推進(jìn)電容替換進(jìn)程的主要原因。電容器容量（uF）15、20、30、30、40、50、50、50、75、75、100。相對(duì)于鋁電解電容將近1Ω的ESR來(lái)說(shuō)，多層陶瓷電容的ESR很小，還不到10mΩ。導(dǎo)電性高分子電容的ESR通常為幾十mΩ，ESR比較小的則在10mΩ以下。鋁電解電容也在開(kāi)發(fā)ESR比較小的產(chǎn)品, 其ESR大約是一般產(chǎn)品的1/2~1/3。