亂流潔凈室

亂流潔凈室的主要特點是從來流到出流（從送風口到回風口）之間氣流的流通截面是變化的，潔凈室截面比送風口截面大得多，因而不能在全室截面或者在全室工作區(qū)截面形成勻速氣流。所以，送風口以后的流線彼此有很大或者越來越大的夾角，曲率半徑很小，氣流在室內(nèi)不可能以單一方向流動，將會彼此撞擊，將有回流、旋渦產(chǎn)生。(3)混合照明這是指工作面上的照度由一般照明和局部照明合成的照明，其中一般照明的照度按《潔凈廠房設計規(guī)范》應占總照度的10%—15%，但不低干150LX。這就決定亂流潔凈室的流態(tài)實質(zhì)是：突變流；非均勻流。

潔凈室中的溫濕度控制

潔凈空間的溫濕度主要是根據(jù)工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒適度感。隨著空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以后還要列舉，但作為總的原則看，由于加工精度越來越精細，所以對溫度波動范圍的要求越來越小。例如在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，作為掩膜板材料的玻璃與硅片的熱膨脹系數(shù)的差要求越來越小。直徑100 um的硅片，溫度上升1度，就引起了0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因為人出汗以后，對產(chǎn)品將有污染，特別是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高產(chǎn)生的問題更多。噪聲控制潔凈室噪聲標準一般均嚴于保護健康的標準，目的在于保障操作正常進行，滿足必要的談話聯(lián)系及安全舒適的工作環(huán)境。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發(fā)生在裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生銹。此外，濕度太高時將通過空氣中的水分子把硅片表面粘著的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低于30%時，又由于靜電力的作用使粒子也容易吸附于表面，同時大量半導體器件容易發(fā)生擊穿。對于硅片生產(chǎn)的濕度范圍為35—45%。

氣壓規(guī)定

對于大部分潔凈空間，為了防止外界污染侵入，需要保持內(nèi)部的壓力（靜壓）高于外部的壓力（靜壓）。壓力差的維持一般應符合以下原則：

1．潔凈空間的壓力要高于非潔凈空間的壓力。

2.潔凈度級別高的空間的壓力要高于相鄰的潔凈度級別低的空間的壓力。壓力差的維持依靠新風量，這個新風量要能補償在這一壓力差下從縫隙漏泄掉的風量。所以壓力差的物理意義就是漏泄（或滲透）風量通過潔凈室的各種縫隙時的阻力。

凈化工程俗稱無塵車間、凈化車間、潔凈室等。其主要原理是排除一定空間范圍內(nèi)空氣中的微粒、有害空氣和細菌等污染物，并將室內(nèi)溫濕度、潔凈度、室內(nèi)壓力、氣流速度和氣流分布、噪聲振動、照明和靜電控制在要求的范圍內(nèi)。級別較高的當屬航天航空的航空倉，基本是屬于1級，屬于特殊領域，面積相對較小。主要是控制清潔度、溫度和濕度，改善工作環(huán)境，提高成品率。凈化工程所特別設計的房間，不論外在空氣條件如何變化，室內(nèi)均具有維持原先所設定要求之潔凈度、溫濕度及壓力等性能。