化學氣相沉積產(chǎn)品概述

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學氣相沉積，我們公司堅持用戶為上帝，想用戶之所想，急用戶之所急，以誠為本，講求信譽，以產(chǎn)品求發(fā)展，以質量求生存，我們熱誠地歡迎各位同仁合作共創(chuàng)輝煌。

1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學等的項目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點及特點：應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導體及金屬膜。

等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

沈陽鵬程真空技術有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。

等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質發(fā)生化學反應，從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術。2、產(chǎn)品優(yōu)點及特點：應用于半導體薄膜、硬質涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的，有效地利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發(fā)生初級反應，使得反應氣體發(fā)生分解，形成離子和活性基團的混合物；

其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運，同時發(fā)生各反應物之間的次級反應；

然后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產(chǎn)物被吸附并與表面發(fā)生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。

化學氣相沉積的過程介紹

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具體說來，基于輝光放電方法的PECVD技術，能夠使得反應氣體在外界電磁場的激勵下實現(xiàn)電離形成等離子體。如果您想要了解更多化學氣相沉積的知識，歡迎撥打圖片上的熱線聯(lián)系我們。在輝光放電的等離子體中，電子經(jīng)外電場加速后，其動能通?？蛇_10eV左右，甚至更高，足以破壞反應氣體分子的化學鍵，因此，通過高能電子和反應氣體分子的非彈性碰撞，就會使氣體分子電離（離化）或者使其分解，產(chǎn)生中性原子和分子生成物。正離子受到離子層加速電場的加速與上電極碰撞，放置襯底的下電極附近也存在有一較小的離子層電場，所以襯底也受到某種程度的離子轟擊。因而分解產(chǎn)生的中性物依擴散到達管壁和襯底。這些粒子和基團（這里把化學上是活性的中性原子和分子物都稱之為基團）在漂移和擴散的過程中，由于平均自由程很短，所以都會發(fā)生離子-分子反應和基團-分子反應等過程。到達襯底并被吸附的化學活性物（主要是基團）的化學性質都很活潑，由它們之間的相互反應從而形成薄膜。

ICP刻蝕機的原理

感應耦合等離子體刻蝕法（Inductively Coupled Plasma Etch，簡稱ICPE）是化學過程和物理過程共同作用的結果。（3）供氣系統(tǒng)供氣系統(tǒng)是向刻蝕腔體輸送各種刻蝕氣體，通過壓力控制器（PC）和質量流量控制器（MFC）精準的控制氣體的流速和流量。它的基本原理是在真空低氣壓下，ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈，以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電，產(chǎn)生高密度的等離子體，在下電極的RF 射頻作用下，這些等離子體對基片表面進行轟擊，基片圖形區(qū)域的半導體材料的化學鍵被打斷，與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質，以氣體形式脫離基片，從真空管路被抽走。

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