蝕刻：蝕刻(etching)是將材料使用bai化學(xué)反應(yīng)或物理du撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻的原理zhi是氧化還原反應(yīng)中的置換dao反應(yīng)：2AgNo3 Cu=Cu(No3)*2 2Ag。利用蝕刻液與銅層反應(yīng),蝕去線路板上不需要的銅,得到所要求的線路。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類。

顯影：顯影是在印刷、影印、復(fù)印、曬圖等行業(yè)中，讓影像顯現(xiàn)的一個(gè)過程。通過堿液作用，將未發(fā)生光聚合反應(yīng)之感光材料部分沖掉。顯影包括正顯影和反轉(zhuǎn)顯影。

特別南方地區(qū)夏季氣溫偏高，從長期的實(shí)踐中摸索一套較好的溫度控制參數(shù)，在20-250C情況下，相對(duì)濕度75％以上時(shí)，貼膜溫度低于730C較好；相對(duì)濕度為60-70％時(shí)，貼膜溫度70-800C較好；曝光時(shí)間過長或曝光不足：在紫外光照射下，吸收了光能量的光引發(fā)劑分解成游離基引發(fā)單體進(jìn)行光聚合反應(yīng)，形成不溶于稀堿的溶液的體型分子。要使每種干膜聚合效果比較好，就必須有一個(gè)好的曝光量。


若曝光過度，會(huì)造成顯影困難，也會(huì)在電鍍過程中產(chǎn)生起翹剝離，形成滲鍍。所以，解決的工藝措施就是嚴(yán)格控制曝光時(shí)間，每種類型的干膜在起用時(shí)應(yīng)按工藝要求進(jìn)行測(cè)量。如采用瑞士頓21級(jí)光楔表，級(jí)差0.15，以控制6-9級(jí)為宜。曝光時(shí)間過長。當(dāng)曝光過度時(shí)，紫外光透過照相底片上透明部分并產(chǎn)生折射、衍射現(xiàn)象，照射到照相底片不透明部分下的干膜處，使本來不應(yīng)該發(fā)生光聚合反應(yīng)的該部分干膜，被部分曝光后發(fā)生聚合反應(yīng)，顯影時(shí)就會(huì)產(chǎn)生余膠和線條過細(xì)的現(xiàn)象。因此，適當(dāng)?shù)目刂破毓鈺r(shí)間是控制顯影效果的重要條件。

(1). 了解放大機(jī)的基本結(jié)構(gòu)及使用方法；

(2). 選擇拍攝的底片，將底片放入底片夾內(nèi)，乳劑面向下；

(3). 開啟曝光定時(shí)器電源開關(guān)，按下定時(shí)器調(diào)焦按鈕，在放大機(jī)上進(jìn)行調(diào)焦，待影像清晰后，調(diào)焦完畢，關(guān)閉調(diào)焦按鈕；

(4). 在安全燈的條件下，調(diào)好曝光時(shí)間，將相紙乳劑面向上，放入放大尺板夾中，按下曝光按鈕，對(duì)相紙進(jìn)行曝光；

(5). 將曝光后的相紙取出，放入D-72 顯影液中進(jìn)行顯影，顯影時(shí)，不斷進(jìn)行攪拌，待影像層次全部顯出后，顯影完畢；