國內外已廣泛生產并用在大功率微波管、大功率激光二極管和一些大功率集成電路模塊上。由于Cu-Mo和Cu-W之間不相溶或浸潤性極差，況且二者的熔點相差很大，給材料制備帶來了一些問題；如果制備的Cu／W及Cu／Mo致密程度不高，則氣密性得不到保證，影響封裝性能。另一個缺點是由于W的百分含量高而導致Cu／W密度太大，增加了封裝重量。金屬外殼制作工藝大致可以分為3種、一種是全CNC加工，一種是壓鑄，還有就是將CNC與壓鑄結合使用。CNC加工工藝：全CNC加工顧名思義就是從一塊鋁合金板材（或者其他金屬材料板材）開始，利用精密CNC加工機床直接加工成需要的手機后蓋形狀，包括內框中的各種臺階、凹槽、螺絲孔等結構；傳統(tǒng)金屬封裝材料及其局限性芯片材料如Si、GaAs以及陶瓷基板材料如A12O3、BeO、AIN等的熱膨脹系數(CTE)介于3×10-6-7×10-6K-1之間。 金屬封裝外殼CNC加工開始前，首先需要建模與編程。3D建模的難度由產品結構決定，結構復雜的產品建模較難，需要編程的工序也更多、更復雜。

 不少低密度、的金屬基復合材料非常適合航空、航天用途。金屬基復合材料的基體材料有很多種，但作為熱匹配復合材料用于封裝的主要是Cu基和燦基復合材料。Cu／W和Cu／Mo為了降低Cu的CTE，可以將銅與CTE數值較小的物質如Mo、W等復合，得到Cu／W及Cu／Mo金屬-金屬復合材料。這些材料具有高的導電、導熱性能，同時融合W、Mo的低CTE、高硬度特性。Cu／W及Cu／Mo的CTE可以根據組元相對含量的變化進行調整，可以用作封裝底座、熱沉，還可以用作散熱片。非常好的導熱性，提供熱耗散；③非常好的導電性，減少傳輸延遲；④良好的EMI／RFI屏蔽能力； ⑤較低的密度，足夠的強度和硬度，良好的加工或成形性能；⑥可鍍覆性、可焊性和耐蝕性，以實現(xiàn)與芯片、蓋板、印制板的可靠結合、密封和環(huán)境的保護；CNC加工加工工藝：全CNC加工說白了就是以一塊鋁合金板材（或是別的金屬復合材料板才）剛開始，運用高精密CNC加工數控車床立即加工成必須的手機上后蓋板樣子，包含內框中的各種各樣樓梯、凹形槽、螺釘孔等構造。⑦較低的成本。傳統(tǒng)金屬封裝材料包括Al、Cu、Mo、W、鋼、可伐合金以及Cu／W和Cu／Mo等

j金屬外殼加工工藝大概能夠分成3種、一種是全CNC加工，一種是壓鑄，也有便是將CNC與壓鑄融合應用。CNC加工加工工藝：全CNC加工說白了就是以一塊鋁合金板材（或是別的金屬復合材料板才）剛開始，運用高精密CNC加工數控車床立即加工成必須的手機上后蓋板樣子，包含內框中的各種各樣樓梯、凹形槽、螺釘孔等構造；這種材料已在金屬封裝中得到廣泛使用，如美國Sinclair公司在功率器件的金屬封裝中使用Glidcop代替無氧高導銅作為底座。世界各國常有Al2O3彌散加強無氧運動高導銅商品，如英國SCM金屬制造企業(yè)的Glidcop帶有99．7％的銅和0．3％彌散遍布的Al2O3。添加Al2O3后，熱導率稍有降低，為365W(m-1K-1)，電阻率略微提升，為1．85μΩ·cm，但抗拉強度獲得持續(xù)上升。銅、鋁全銅也稱作無氧運動高導銅(OFHC)，電阻率1．72μΩ·cm，僅次銀。它的熱導率為401W(m-1K-1)，從熱傳導的角度觀察，做為封裝罩殼是十分理想化的，能夠應用在必須高燒導和／或高電導的封裝里，殊不知，它的CTE達到16．5×10-6K-1，能夠在剛度粘合的陶瓷基板上導致挺大的焊接應力。

一種金屬封裝外殼及其制備工藝的制作方法

電信號連接：外殼上的引線起到內外電信號的連接作用，完成內部電路與外圍 電路的電信號傳遞。

屏蔽：外殼可起到電磁屏蔽的作用，保護內部電路不受外部信號的干擾，同時保 證內部電路產生的電磁信號不影響外部電路。對于大功率封裝外殼來說，

散熱：外殼將內部電路產生的熱量傳遞至外部，避免內部電路的熱失效。