拋光時，高速旋轉的拋光輪（圓周速度在20米/秒以上）壓向工件，使磨料對工件表面產生滾壓和微量切削，從而獲得光亮的加工表面，表面粗糙度一般可達Ra0.63～0.01微米;當采用非油脂性的消光拋光劑時，可對光亮表面消光以改善外觀。 大批量生產軸承鋼球時，常采用滾筒拋光的方法。粗拋時將大量鋼球、石灰和磨料放在傾斜的罐狀滾筒中，滾筒轉動時，使鋼球與磨料等在筒內隨機地滾動碰撞以達到去除表面凸鋒而減小表面粗糙度的目的，可去除0.01毫米左右的余量。

隨著環(huán)保意識及法規(guī)的加強，目前越來越多的工廠選擇兩酸拋光工藝。但是兩酸在3C產品生產過程中存在以下問題：1.當拋光液中鋁離子濃度超過16g/L時，拋光帶有通孔或盲孔的噴砂工件時會產生拋痕，尤其當噴砂工件為Al5252材質的鋁合金時拋痕更為明顯。2.對經T處理的鋁塑復合件拋光時鋁塑交界處易出現(xiàn)不均勻，塑料件易發(fā)黃。3.鋁合金工件在自動拋光線上拋光時在工件轉移過程中所需時間通常在18秒以上，鋁型材化拋生產線轉移所花的時間更長通常在30秒以上，在轉移過程中由于拋光液的滴趟會在表面形成不規(guī)則的流痕，影響外觀效果。

依據機械加工原理、半導體材料工程學、物力化學多相反應多相催化理論、表面工程學、半導體化學基礎理論等，對硅單晶片化學機械拋光（CMP）機理、動力學控制過程和影響因素研究標明，化學機械拋光是一個復雜的多相反應，它存在著兩個動力學過程：（1）拋光首先使吸附在拋光布上的拋光液中的氧化劑、催化劑等與襯底片表面的硅原子在表面進行氧化還原的動力學過程。這是化學反應的主體。（2）拋光表面反應物脫離硅單晶表面，即解吸過程使未反應的硅單晶重新出來的動力學過程。它是控制拋光速率的另一個重要過程。硅片的化學機械拋光過程是以化學反應為主的機械拋光過程，要獲得質量好的拋光片，必須使拋光過程中的化學腐蝕作用與機械磨削作用達到一種平衡。如果化學腐蝕作用大于機械拋光作用，則拋光片表面產生腐蝕坑、桔皮狀波紋。如果機械磨削作用大于化學腐蝕作用，則表面產生高損傷層。

基本原理：

金屬試樣表面各組成相的電化學電位不同，形成了許多微電勢，在化學溶液中會產生不均勻溶解。在溶解過程中試樣面表層會產生一層氧化膜，試樣表面凸出部分由于粘膜薄，金屬的溶解擴展速度較慢，拋光后的表面光滑，但形成有小的起伏波形，不能達到十分理想的要求。在低和中等放大倍數下利用顯微鏡觀察時，這種小的起伏一般在物鏡垂直鑒別能力之內，仍能觀察到十分清晰的組織