脈沖激光沉積系統(tǒng)配置介紹

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脈沖激光沉積系統(tǒng)配置：

生長室，進樣室可選水平、垂直兩種靶臺可選激光加熱和輻射加熱兩種樣品臺可選，激光加熱高的溫度1200℃工藝氣路可以任意搭配配備高壓RHEED，工作氣壓可達100Pa可預留法蘭，用于LEED，K-Cell, E-beam等其它可選項如臭氧發(fā)生器，離子源，掩膜系統(tǒng)等。高能核素濺射表面的部分原子，而在入射流與受濺射原子之間，建立了一個碰撞區(qū)。

脈沖激光沉積原理

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脈沖激光沉積原理：在真空環(huán)境下利用脈沖激光對靶材表面進行轟擊，利用激光產(chǎn)生的局域熱量將靶材物質(zhì)轟擊出來，再沉積在不同的襯底上，從而形成薄膜。

脈沖激光沉積簡介

沈陽鵬程真空技術有限責任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

【設備主要用途】

PLD450A型脈沖激光沉積設備采用PLD脈沖激光沉積技術，用于制備高溫超導薄膜、半導體膜、鐵電薄膜、硬質(zhì)薄膜以及微電子和光電子用多元氧化物薄膜及異質(zhì)結，也可用于制備氮、碳、硅化合物及各種有機—無機復合材料薄膜及金剛石薄膜等。

【設備優(yōu)點】

設備全程采用一鍵式操作抽氣，關機，程序自動化定時操作。避免了繁瑣的角閥，插板閥人工開啟。

【設備主要組成】

設備由沉積腔室（單室球形或圓筒形）、樣品加熱轉臺、激光入射轉靶、激光窗、電源控制系統(tǒng)、激光束掃描系統(tǒng)、計算機控制轉靶的旋轉、脈沖準分子激光器等組成